[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810114299.8 申请日: 2008-06-03
公开(公告)号: CN101599434A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 赵林林;沈满华;马擎天 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/308 分类号: H01L21/308;H01L21/311;G03F7/42
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 李 丽
地址: 100176北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制造方法,提供一硅片,在所述硅片上形成刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层内具有开口图形,其特征在于,还包括:

对所述刻蚀阻挡层内的开口图形的侧壁进行第一刻蚀,包括:向刻蚀腔中通入包含氧原子的第一气体,第一气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例小于1;之后向刻蚀腔中通入包括惰性气体的第二气体,第二气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例大于1,使硅片边缘区域刻蚀速率大于硅片中央区域的刻蚀速率;

对具有上述刻蚀阻挡层的硅片进行第二刻蚀。

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一气体包括氧气O2、臭氧O3、一氧化氮NO、一氧化二氮N2O中至少其中之一。

3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第二气体包括氩气Ar、氦气He、氮气N2、和氖气Ne中至少其中之一。

4.如权利要求2、3任一项所述的制造方法,其特征在于,所述的刻蚀阻挡层为以ArF为曝光光源的光刻胶。

5.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述刻蚀腔包括中央气孔和边缘气孔,所述边缘气孔和中央气孔进入的第一气体流量的和为第一气体总量,所述第一刻蚀中,从边缘气孔进入的第一气体流量占所述第一气体总量的100%。

6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述刻蚀腔包括中央气孔和边缘气孔,所述边缘气孔和中央气孔进入的第二气体流量的和为第二气体总量,所述第一刻蚀中,从中央气孔进入的第二气体的流量占所述第二气体总量的90%±5%,从边缘气孔进入的第二气体占所述第二气体总量10%±5%。

7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀为沿平行硅片方向的刻蚀。

8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀过程中刻蚀腔内压力为300mT±50mT。

9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀腔内射频电源输出功率为200W±50W。

10.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀时间为10s±3s。

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