[发明专利]半导体器件的制造方法有效
申请号: | 200810114299.8 | 申请日: | 2008-06-03 |
公开(公告)号: | CN101599434A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 赵林林;沈满华;马擎天 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;H01L21/311;G03F7/42 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 丽 |
地址: | 100176北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法,提供一硅片,在所述硅片上形成刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层内具有开口图形,其特征在于,还包括:
对所述刻蚀阻挡层内的开口图形的侧壁进行第一刻蚀,包括:向刻蚀腔中通入包含氧原子的第一气体,第一气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例小于1;之后向刻蚀腔中通入包括惰性气体的第二气体,第二气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例大于1,使硅片边缘区域刻蚀速率大于硅片中央区域的刻蚀速率;
对具有上述刻蚀阻挡层的硅片进行第二刻蚀。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一气体包括氧气O2、臭氧O3、一氧化氮NO、一氧化二氮N2O中至少其中之一。
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第二气体包括氩气Ar、氦气He、氮气N2、和氖气Ne中至少其中之一。
4.如权利要求2、3任一项所述的制造方法,其特征在于,所述的刻蚀阻挡层为以ArF为曝光光源的光刻胶。
5.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述刻蚀腔包括中央气孔和边缘气孔,所述边缘气孔和中央气孔进入的第一气体流量的和为第一气体总量,所述第一刻蚀中,从边缘气孔进入的第一气体流量占所述第一气体总量的100%。
6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述刻蚀腔包括中央气孔和边缘气孔,所述边缘气孔和中央气孔进入的第二气体流量的和为第二气体总量,所述第一刻蚀中,从中央气孔进入的第二气体的流量占所述第二气体总量的90%±5%,从边缘气孔进入的第二气体占所述第二气体总量10%±5%。
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀为沿平行硅片方向的刻蚀。
8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀过程中刻蚀腔内压力为300mT±50mT。
9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀腔内射频电源输出功率为200W±50W。
10.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一刻蚀时间为10s±3s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造