[发明专利]沟槽的形成方法

权利要求书

1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一类沟槽，所述第一类沟槽形成于基底内，所述第一类沟槽的底部为所述基底，所述第一类沟槽的侧壁为栅极层和覆盖栅极层的阻挡层，所述基底为绝缘介质层；

刻蚀第一类沟槽中的基底，在刻蚀过程中刻蚀气体与基底发生反应，在第一类沟槽的两侧侧壁处原位形成侧墙，所述刻蚀过程的刻蚀气体包括：C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈、CH₂F₂、C₅F₁₀或者其任意组合，各种刻蚀气体的流量为：20～200sccm，刻蚀的电离功率为500～1000W，刻蚀的温度为20～60摄氏度，所述侧墙的厚度为50～400埃；

以侧墙为掩膜，继续刻蚀基底至所需深度，形成第二类沟槽；去除所述侧墙。

2.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括辅助刻蚀气体HBr、N₂或者Ar。

3.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为聚合物，所述聚合物包含C、F、O和Si元素。

4.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述基底为浅沟槽隔离结构填充物。

5.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述去除侧墙的方法为灰化法和湿法清洗法。

6.根据权利要求5所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述灰化气体为氧气。

7.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述形成第一类沟槽的刻蚀溶液包括HF或者NH₄F。