[发明专利]半导体刻蚀方法及刻蚀系统

权利要求书

1.一种半导体刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：

利用当前刻蚀参数值对至少一个晶片刻蚀，在所述晶片上刻蚀出刻蚀图 形；

测量所述刻蚀图形的实际深度；

计算出所述刻蚀图形的实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值 确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值；

将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值，利用所述目标刻蚀参数值执 行下一次刻蚀；

所述的当前刻蚀参数值包括当前刻蚀时间或者当前刻蚀速率，所述的目 标刻蚀参数值包括目标刻蚀时间或者目标刻蚀速率；

所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值计算方法包括：确 定刻蚀所述偏差值的刻蚀时间，如果所述刻蚀图形的实际深度大于目标深度， 目标刻蚀时间＝当前刻蚀时间-所述偏差值的刻蚀时间；否则目标刻蚀时间 ＝当前刻蚀时间+所述偏差值的刻蚀时间。

2.如权利要求1所述的半导体刻蚀方法，其特征在于，测量所述刻蚀图 形的实际深度的方法包括：用光学特征尺寸测量设备测量所述刻蚀图形的深 度。

3.一种半导体刻蚀系统，其特征在于，该刻蚀系统包括：

刻蚀装置，用于在当前刻蚀参数值下对至少一个晶片进行刻蚀，在完成 刻蚀之后将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值；

测量装置，用于测量利用所述刻蚀装置在晶片上刻蚀出的刻蚀图形的实 际深度；

反馈装置，用于计算出所述实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏 差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值，并将所述目标刻蚀参数值反 馈给刻蚀装置；

所述的当前刻蚀参数值包括当前刻蚀时间或者当前刻蚀速率，所述的目 标刻蚀参数值包括目标刻蚀时间或者当前刻蚀速率；

所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值计算方法包括：确 定刻蚀所述偏差值的刻蚀时间，如果所述刻蚀图形的实际深度大于目标深度， 目标刻蚀时间＝当前刻蚀时间-所述偏差值的刻蚀时间；否则目标刻蚀时间 ＝当前刻蚀时间+所述偏差值的刻蚀时间。

4.如权利要求3所述的半导体刻蚀系统，其特征在于，所述的反馈装置 包括：

存储模块，用于存储当前刻蚀参数值和目标深度；

计算模块，用于根据存储的当前刻蚀参数值和目标深度，计算出所述实际 深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值确定达到目标深度的目标刻蚀参 数值，并将所述目标刻蚀参数值反馈给刻蚀装置。

5.如权利要求4所述的半导体刻蚀系统，其特征在于，所述的刻蚀装置 还包括刻蚀参数转换单元，用于将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值。