[发明专利]优化硅片中芯片布局的方法和装置有效
| 申请号： | 200810114345.4 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101315647A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋雅洁;张瑾 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优化 硅片 芯片 布局 方法 装置 | ||
1.一种优化硅片中芯片布局的方法，其特征在于，包括：
获取硅片的布局参数，所述布局参数包括所述硅片的洗边宽度、平边高度 和大平边长度；
根据所获取的布局参数生成硅片曝光场布局图，并根据输入的偏移量对所 述硅片曝光场布局图的位置进行微调；
根据所生成的硅片曝光场布局图对所述硅片进行芯片的布局。
2.根据权利要求1所述优化硅片中芯片布局的方法，其特征在于，所述输 入偏移量的模式为默认模式、自定义模式和最优化模式的其中一种。
3.根据权利要求1或2所述优化硅片中芯片布局的方法，其特征在于，所 述根据所获取的布局参数生成硅片曝光场布局图进一步包括：根据相同的所述 布局参数的值所生成的硅片曝光场布局图相同，根据不同的所述布局参数的值 所生成的硅片曝光场布局图不相同。
4.根据权利要求1或2所述优化硅片中芯片布局的方法，其特征在于，所 述生成硅片曝光场布局图之后，该方法还包括：将所述硅片曝光场布局图与界 面背景的芯片划分区域进行对比，获取所述硅片中的芯片总数。
5.根据权利要求4所述优化硅片中芯片布局的方法，其特征在于，所述获 取硅片中的芯片总数进一步包括：根据相同的硅片曝光场布局图所获取的芯片 总数相同，根据不同的硅片曝光场布局图所获取的芯片总数相同或不相同。
6.一种优化硅片中芯片布局的装置，其特征在于，包括：参数获取模块、 布局图生成模块和芯片布局模块；其中，
所述参数获取模块，用于获取硅片的布局参数提供给所述布局图生成模块， 所述布局参数包括所述硅片的洗边宽度、平边高度和大平边长度；
所述布局图生成模块，用于根据所获取的布局参数生成硅片曝光场布局图；
所述芯片布局模块，用于根据所生成的硅片曝光场布局图对所述硅片进行 芯片的布局；以及
微调模块，用于根据输入的偏移量对所述硅片曝光场布局图的位置进行微 调。
7.根据权利要求6所述优化硅片中芯片布局的装置，其特征在于，所述输 入偏移量的模式为默认模式、自定义模式和最优化模式的其中一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810114345.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
