[发明专利]高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法无效
| 申请号： | 200810114509.3 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101597639A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李运涛;俞育德;余金中;于军;胡迪;任鲁风 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C12Q1/68 | 分类号： | C12Q1/68;C12M1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 dna 阵列 生物芯片 制作方法 | ||
1.一种高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：在铝或铝合金薄膜表面采用阳极氧化方法制作高密度多孔氧化铝模板；
步骤2：将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离；
步骤3：将多孔氧化铝模板转移至DNA微阵列生物芯片基片表面，作为DNA微阵列生物芯片基片的刻蚀掩膜；
步骤4：采用刻蚀的方法对DNA微阵列生物芯片基片进行刻蚀；
步骤5：移除多孔氧化铝模板，完成高密度DNA微阵列生物芯片的制作。
2.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离是采用机械物理剥离方法。
3.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离时，通过控制电解反应的时间来控制多孔氧化铝模板的厚度。
4.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中将多孔氧化铝模板转移至DNA微阵列生物芯片基片表面是采用物理键合方法。
5.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中所采用的刻蚀的方法是化学湿法腐蚀方法。
6.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中所采用的刻蚀的方法是等离子体干法刻蚀方法。
7.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中移除多孔氧化铝模板，是利用强碱溶液移除方法。
8.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中所述的移除多孔氧化铝模板，是利用强酸溶液移除方法。
9.根据权利要求1所述的高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，其中所述的移除多孔氧化铝模板，是利用机械移除或物理移除方法。
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