[发明专利]一种毫米波回旋速调管放大器的谐振腔结构有效
| 申请号： | 200810114791.5 | 申请日： | 2008-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101604608A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 徐寿喜;张世昌;刘濮鲲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/18 | 分类号： | H01J23/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 回旋 速调管 放大器 谐振腔 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种毫米波回旋速调管放大器的谐振腔结构，用于抑制毫米波谐振腔中的杂模振荡，其特征在于，该结构包含两个相同的衰减环，其中一个衰减环焊接于该圆柱形谐振腔上端盖的下表面，另一个衰减环焊接于该圆柱形谐振腔下端盖的上表面，且该两个衰减环中心均位于该圆柱形谐振腔的轴线上；其中，所述衰减环由无磁衰减材料构成，所述无磁衰减材料为氧化铍BeO与碳化硅SiC的混合物，且该混合物中BeO的含量为60％至80％，SiC的含量为40％至20％。
2.根据权利要求1所述的毫米波回旋速调管放大器的谐振腔结构，其特征在于，所述BeO与SiC的混合物中，BeO的含量为80％，SiC的含量为20％。
3.根据权利要求1所述的毫米波回旋速调管放大器的谐振腔结构，其特征在于，所述衰减环在与谐振腔端盖相焊接的表面，进一步包含一层厚度为4至10μm的钛膜。
4.根据权利要求3所述的毫米波回旋速调管放大器的谐振腔结构，其特征在于，所述钛膜采用多弧离子镀溅射在衰减环的表面。
5.根据权利要求1所述的毫米波回旋速调管放大器的谐振腔结构，其特征在于，所述衰减环焊接于圆柱形谐振腔的端盖，采用72％的AgCu焊料，经石墨模具对中定位，在真空炉中进行钎焊。
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