[发明专利]用于半导体器件中的取样光栅的制作方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片；

步骤2：在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶；

步骤3：对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓；

步骤4：将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条；

步骤5：对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅；

步骤6：用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，其中所述的衬底为InP材料，缓冲层为InP材料，下波导层、上波导层为InGaAsP材料。

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，其中所述的多量子阱4为InGaAsP材料。

4.根据权利要求1所述的用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，其中所述的二次曝光的时间为8秒。

5.根据权利要求1所述的用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，其中所述的刻蚀，包括干法刻蚀和湿法腐蚀；干法刻蚀是用电子回旋共振方法，湿法腐蚀是利用饱和溴水作为腐蚀液。