[发明专利]一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法

权利要求书

1、一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，该方法包括：

在MHEMT材料外延结构上制备源漏电极；

在制备了源漏电极的MHEMT材料外延结构上对有源区进行腐蚀隔离，形成隔离台面；

采用三层涂胶工艺，利用电子束光刻技术，制作出200nm的T型栅，并采用柠檬酸系溶液腐蚀栅槽，蒸发Ti/Pt/Au作为栅极金属；

光刻布线，蒸发布线金属Ti//Au，丙酮浸泡剥离，完成200nm栅长GaAs基MHEMT器件的制作。

2、根据权利要求1所述的制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，所述在MHEMT材料外延结构上制备源漏电极的步骤包括：

在MHEMT材料外延结构上涂胶原胶AZ5214，3500转/分，涂1分钟，原胶AZ5214的涂敷厚度约为1.6μm，95℃热板，90秒，源漏版，小机器曝光20秒左右，AZ5214显影液显60s左右，水冲洗，打底胶30秒，在腐蚀液H₃PO₄∶H₂O＝1∶15中漂20秒去除氧化层，进行丙酮剥离；然后蒸发Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au源漏电极金属，经常规剥离工艺和合金后，形成欧姆接触的源漏电极。

3、根据权利要求1所述的制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，所述对有源区进行腐蚀隔离，形成隔离台面的步骤包括：

采用丙酮冲洗，乙醇清洗，并水冲洗6遍，在120℃烘箱中烘10分钟，130℃走程序，9912原胶3000转/分，涂1分钟，厚度约1.5μm，95℃热板，90秒，正胶显影液显60秒左右，水冲洗，吹干，打底胶RIE O₂，60sccm流量，功率20W，120秒，采用HCL∶H₂O＝1∶10，漂酸10秒，去除表面氧化层，测台阶高度，利用腐蚀液H₃PO₄∶H₂O₂∶H₂O＝3∶1∶50对有源区进行腐蚀隔离，直接腐蚀InGaAs，InAlAs，腐蚀时间40秒左右，监测电流及岛高，漂酸，丙酮去胶，清洗，吹干，形成隔离台面。

4、根据权利要求1所述的制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，所述采用三层涂胶工艺，利用电子束光刻技术，制作出200nm的T型栅，并采用柠檬酸系溶液腐蚀栅槽，蒸发Ti/Pt/Au作为栅极金属的步骤包括：

涂电子束光刻胶PMMA/PMGI/PMMA，底层涂200nm的PMMA，中间层涂420nm的PMGI，最上层涂300nm的PMMA；采用一次性对准和曝光，多次电子束光刻胶显影液显影形成自对准T型纳米栅结构，蒸发栅金属钛/铂/金三层结构，然后丙酮剥离，完成栅极金属的制作。

5、根据权利要求4所述的制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，所述钛/铂/金三层结构中，钛的厚度为500埃，铂的厚度为800埃，金的厚度为2200埃。

6、根据权利要求1所述的制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，所述光刻布线，蒸发布线金属Ti//Au，丙酮浸泡剥离，完成200nm栅长GaAs基MHEMT器件的制作的步骤包括：

乙醇清洗，水冲洗6遍，120℃烘箱10分钟，130℃走程序，涂5214反转胶，3500转，涂1分钟，厚度约1.5μm，显影液显60秒左右，水冲洗，吹干，打底胶RIE O₂，60sccm流量，功率20W，120秒，采用HCL∶H₂O＝1∶10，漂酸10秒，去除表面氧化层，蒸发布线金属Ti/Au，丙酮浸泡剥离成器件图形，完成200nm栅长GaAs基MHEMT器件的制作。

7、根据权利要求6所述的制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，所述蒸发布线金属Ti的厚度为Au的厚度为