[发明专利]GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法有效
| 申请号： | 200810115564.4 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101615708A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 黎明;张海英;付晓君;徐静波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01P1/15 | 分类号： | H01P1/15;H01P1/10;H01P11/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas phemt 单片 集成 微波 开关 及其 制作方法 | ||
1.一种GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关，其特征在于，该单 片集成微波开关由基于全耗尽型的GaAs PHEMT单刀双掷开关和基于 DCFL的反相器构成，该单刀双掷开关和反相器单片集成，单刀双掷开关 的控制信号端与反相器的输入端和输出端连接，且该单片集成微波开关采 用0V和-3V分别作为高低电平，反相器的VDD直流端接0V，原接地端 接-3V；其中，该单片集成微波开关为基本的单刀双掷结构，通过高阻值 金属膜电阻为HEMT源漏端提供高电平，该单片集成微波开关的HEMT 栅极偏置电阻与反相器的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关， 其特征在于，该单片集成微波开关外加控制信号被反相器的反相，当外加 信号为高电平时，开关HEMT栅极为低电平，开关处于断开状态；当外加 信号为低电平时，开关HEMT栅极为高电平，开关处于闭合状态。
3.根据权利要求1所述的GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关， 其特征在于，该基于全耗尽型的GaAs PHEMT单刀双掷开关和基于DCFL 的反相器，基于E/D PHEMT材料和工艺实现。
4.根据权利要求1所述的GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关， 其特征在于，该基于全耗尽型的GaAs PHEMT单刀双掷开关的控制信号 端与该反相器的输入端和输出端在芯片上实现连接。
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