[发明专利]物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法无效
| 申请号： | 200810115699.0 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101293652A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李润源;张鸣剑 | 申请（专利权）人： | 北京京仪世纪自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/033;C01B33/039 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100079北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 物料 完全 循环 太阳 能级 多晶 硅氢锌 还原 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，包括首先将Si和H2、Cl2反应合成SiHCl3，然后将所述SiHCl3通过H还原生产多晶硅，其特征在于，所述H还原过程中的副产物SiCl4通过Zn还原生产多晶硅。
2、根据权利要求1所述的物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，其特征在于，所述Zn还原过程中的副产物ZnCl2通过电解得到Zn和Cl2。
3、根据权利要求2所述的物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，其特征在于，所述电解得到的Zn用于所述Zn还原过程中。
4、根据权利要求2所述的物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，其特征在于，所述电解得到的Cl2用于所述合成SiHCl3过程中。
5、根据权利要求1所述的物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，其特征在于，所述H还原生产的多晶硅为棒状；所述Zn还原生产的多晶硅为颗粒状；所述多晶硅的纯度大于或等于99.9999％。
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