[发明专利]基底温度控制方法和介质层形成方法

权利要求书

1.一种基底温度控制方法，其特征在于，包括：

确定包含目标温度的工艺条件和对应所述工艺条件的基底背面粗糙度基值范围；

测量基底背面粗糙度；

在所述工艺条件下，测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时，确定所述基底具有目标温度；测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时，调整所述工艺条件，使所述基底具有目标温度。

2.根据权利要求1所述的基底温度控制方法，其特征在于：测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时，使所述基底具有目标温度的步骤包括，

测得的粗糙度大于粗糙度基值范围内的最大值时，确定所述基底的读取温度低于目标温度；

测得的粗糙度小于粗糙度基值范围内的最小值时，确定所述基底的读取温度高于目标温度。

3.根据权利要求1所述的基底温度控制方法，其特征在于：测量基底背面粗糙度的步骤包括，测量基底背面的光泽度。

4.根据权利要求2所述的基底温度控制方法，其特征在于：确定所述基底的读取温度低于目标温度的步骤包括，

确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系；

计算粗糙度基值范围内的最大值与所述粗糙度之间的差值；

计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值；

确定所述变化值为所述目标温度与所述基底的读取温度之差。

5.根据权利要求2所述的基底温度控制方法，其特征在于：确定所述基底的读取温度高于目标温度的步骤包括，

确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系；

计算所述粗糙度与粗糙度基值范围内的最小值之间的差值；

计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值；

确定所述变化值为所述基底的读取温度与所述目标温度之差。

6.一种介质层形成方法，所述介质层形成于基底上，其特征在于，包括：

确定包含目标温度的工艺条件和对应所述工艺条件的基底背面粗糙度基值范围；

测量所述基底背面粗糙度；

在所述工艺条件下，测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时，确定所述基底具有目标温度；测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时，调整所述工艺条件，使所述基底具有目标温度；

在具有目标温度的基底上形成介质层。

7.根据权利要求6所述的介质层形成方法，其特征在于：测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时，使所述基底具有目标温度的步骤包括，

测得的粗糙度大于粗糙度基值范围内的最大值时，确定所述基底的读取温度低于目标温度；

测得的粗糙度小于粗糙度基值范围内的最小值时，确定所述基底的读取温度高于目标温度。

8.根据权利要求6所述的介质层形成方法，其特征在于：测量基底背面粗糙度的步骤包括，测量基底背面的光泽度。

9.根据权利要求7所述的介质层形成方法，其特征在于：确定所述基底的读取温度低于目标温度的步骤包括，

确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系；

计算粗糙度基值范围内的最大值与所述粗糙度之间的差值；

计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值；

确定所述变化值为所述目标温度与所述基底的读取温度之差。

10.根据权利要求7所述的介质层形成方法，其特征在于：确定所述基底的读取温度高于目标温度的步骤包括，

确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系；

计算所述粗糙度与粗糙度基值范围内的最小值之间的差值；

计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值；

确定所述变化值为所述基底的读取温度与所述目标温度之差。