[发明专利]基底温度控制方法和介质层形成方法无效
申请号: | 200810115960.7 | 申请日: | 2008-06-30 |
公开(公告)号: | CN101619447A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 傅蓓芬;杨继业 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 丽 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 温度 控制 方法 介质 形成 | ||
1.一种基底温度控制方法,其特征在于,包括:
确定包含目标温度的工艺条件和对应所述工艺条件的基底背面粗糙度基值范围;
测量基底背面粗糙度;
在所述工艺条件下,测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时,确定所述基底具有目标温度;测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时,调整所述工艺条件,使所述基底具有目标温度。
2.根据权利要求1所述的基底温度控制方法,其特征在于:测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时,使所述基底具有目标温度的步骤包括,
测得的粗糙度大于粗糙度基值范围内的最大值时,确定所述基底的读取温度低于目标温度;
测得的粗糙度小于粗糙度基值范围内的最小值时,确定所述基底的读取温度高于目标温度。
3.根据权利要求1所述的基底温度控制方法,其特征在于:测量基底背面粗糙度的步骤包括,测量基底背面的光泽度。
4.根据权利要求2所述的基底温度控制方法,其特征在于:确定所述基底的读取温度低于目标温度的步骤包括,
确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系;
计算粗糙度基值范围内的最大值与所述粗糙度之间的差值;
计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值;
确定所述变化值为所述目标温度与所述基底的读取温度之差。
5.根据权利要求2所述的基底温度控制方法,其特征在于:确定所述基底的读取温度高于目标温度的步骤包括,
确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系;
计算所述粗糙度与粗糙度基值范围内的最小值之间的差值;
计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值;
确定所述变化值为所述基底的读取温度与所述目标温度之差。
6.一种介质层形成方法,所述介质层形成于基底上,其特征在于,包括:
确定包含目标温度的工艺条件和对应所述工艺条件的基底背面粗糙度基值范围;
测量所述基底背面粗糙度;
在所述工艺条件下,测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时,确定所述基底具有目标温度;测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时,调整所述工艺条件,使所述基底具有目标温度;
在具有目标温度的基底上形成介质层。
7.根据权利要求6所述的介质层形成方法,其特征在于:测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时,使所述基底具有目标温度的步骤包括,
测得的粗糙度大于粗糙度基值范围内的最大值时,确定所述基底的读取温度低于目标温度;
测得的粗糙度小于粗糙度基值范围内的最小值时,确定所述基底的读取温度高于目标温度。
8.根据权利要求6所述的介质层形成方法,其特征在于:测量基底背面粗糙度的步骤包括,测量基底背面的光泽度。
9.根据权利要求7所述的介质层形成方法,其特征在于:确定所述基底的读取温度低于目标温度的步骤包括,
确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系;
计算粗糙度基值范围内的最大值与所述粗糙度之间的差值;
计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值;
确定所述变化值为所述目标温度与所述基底的读取温度之差。
10.根据权利要求7所述的介质层形成方法,其特征在于:确定所述基底的读取温度高于目标温度的步骤包括,
确定所述基底的读取温度与所述粗糙度间的函数关系;
计算所述粗糙度与粗糙度基值范围内的最小值之间的差值;
计算对应于所述差值的所述基底的读取温度的变化值;
确定所述变化值为所述基底的读取温度与所述目标温度之差。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的