[发明专利]一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法

权利要求书

1.一种制作部分耗尽绝缘体上硅SOI器件体接触结构的方法，其特 征在于，该方法包括：

步骤1、选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench 腐蚀；

步骤2、对该SOI外延片进行第二次Trench腐蚀，形成源引出端和体 引出端的隔离，在沟槽下方与BOX层之间留出空间，为侧向体接触保留 体引出通道；

步骤3、全部剥离SiN，生长SiO₂掩蔽膜，刻蚀该SiO₂掩蔽膜，形成 两个局部埋氧层的注入窗口，两个窗口之间的距离等于栅长；

步骤4、采用局部SIMOX技术，用低剂量低能量进行局部埋氧层注 入，形成源漏下方局部埋氧层，局部埋氧层距硅表面深度就是最终源漏结 的深度，埋氧层下方的硅膜为体引出通道，局部埋氧层厚度为80nm，距 离硅表面深度为70nm；

步骤5、光刻形成有源区，两次调栅注入后通过牺牲氧化控制硅膜厚 度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅，LDD注入，侧墙隔离，源漏 端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏金属硅化物，淀积PMD和 平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成压焊点层，合金，并进行 背面处理。

2.根据权利要求1所述的制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法， 其特征在于，所述步骤1具体包括：

选用P<100>SOI外延片，该SOI外延片的硅膜(1)厚度600nm，BOX 层(2)厚度400nm，衬底(3)厚度2000nm，对该SOI外延片进行吸杂 氧化，P阱曝光，P阱(4)注入，生长SiO₂氧化层，再生长SiN(5)，腐 蚀SiN(5)形成STI隔离窗口，然后进行第一次Trench腐蚀，沟槽达到 BOX层，退火氧化，形成器件之间的隔离层(6)。

3.根据权利要求1所述的制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法， 其特征在于，所述步骤2具体包括：

在进行第一次Trench腐蚀的SOI外延片上生长SiN，腐蚀SiN形成 STI隔离窗口，然后对该SOI外延片进行第二次Trench腐蚀，沟槽深度 150nm，退火氧化，形成源引出端和体引出端的隔离层(7)，该隔离层(7) 作为源引出端和体引端的隔离层，在该隔离层(7)与BOX层之间留出空 间，为侧向体接触保留体引出通道(8)。

4.根据权利要求1所述的制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法， 其特征在于，所述步骤5具体包括：

光刻形成有源区，两次调栅注入后通过牺牲氧化控制硅膜厚度，制备 硅膜厚度为300nm，生长栅氧(11)，厚度为12nm，淀积生成多晶硅，光 刻多晶硅栅(12)，尺寸为0.8um，LDD注入；侧墙隔离，源漏端注入形 成漏端(13)和源端(14)，体引出端注入(15)，源漏金属硅化物，淀积 PMD和平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成压焊点层，合金， 并进行背面处理。