[发明专利]一种双正交折叠开关上变频器无效
申请号: | 200810116046.4 | 申请日: | 2008-07-02 |
公开(公告)号: | CN101621277A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 雷牡敏;张海英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14;H04B1/69 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正交 折叠 开关 变频器 | ||
1、一种用于多带正交频分复用超宽带收发机射频前端的双正交折叠开关上变频器,其特征在于,该双正交折叠开关上变频器由顺序连接的输入级、开关级、开关偏置电流源和输出级四部分构成。
2、根据权利要求1所述的用于多带正交频分复用超宽带收发机射频前端的双正交折叠开关上变频器,其特征在于,所述输入级由PMOS管M2、M4、M6、M8,NMOS管M1、M3、M5、M7,反馈电阻R1~R4和隔直电容C1~C8构成类似反相器的结构;上述PMOS管、NMOS管、反馈电阻和隔直电容之间的连接关系为:输入I、Q两路信号BB_I+、BB_I-、BB_Q+、BB_Q-分别加在M2、M4、M6、M8的栅极上,M2、M4、M6、M8的栅极分别与C1、C3、C5、C7的一端相连,源级都接电源,漏级分别与M1、M3、M5、M7的漏级相连,同时漏级也分别与R1、R2、R3、R4、C2、C4、C6、C8的一端相连,M1、M3、M5、M7的栅极分别与C1、C3、C5、C7、R1、R2、R3、R4的另一端相连,源级都接地,C2、C4、C6、C8的另一端分别接开关级NMOS管M9/M10、M11/M12、M13/M14、M15/M16的源级和开关偏置电流源M17、M18、M19、M20的漏级。
3、根据权利要求1所述的用于多带正交频分复用超宽带收发机射频前端的双正交折叠开关上变频器,其特征在于,所述开关级由NMOS管开关对M9/M10、M11/M12、M13/M14、M15/M16构成,上述NMOS管开关对之间的连接关系为:M9、M11、M13、M15的源级分别与M10、M12、M14、M16的源级连在一起,M9、M11、M13、M15的源级并分别接在开关偏置电流源M17、M18、M19、M20的漏级,M9、M10、M13、M14的栅极分别与M12、M11、M16、M15的栅极相连,M9、M10、M13、M14的栅极并分别接本振信号LO_I+、LO_I-、LO_Q+、LO_Q-,M9、M11、M13、M15的漏级分别与M10、M12、M14、M16的漏级连在一起,并分别接输出VOUT+、VOUT-。
4、根据权利要求1所述的用于多带正交频分复用超宽带收发机射频前端的双正交折叠开关上变频器,其特征在于,所述开关偏置电流源由NMOS管M17、M18、M19、M20构成,该四个NMOS管M17、M18、M19、M20的漏级分别连在开关对M9/M10、M11/M12、M13/M14、M15/M16的源级,栅极均接偏置电流IB,源级均接地。
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