[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管， 其特征在于，所述薄膜晶体管包括与栅线连接的栅电极和与数据线连接的源 电极，所述栅电极上形成有至少一个过孔或所述栅电极的至少一侧形成有过 槽，所述过孔或过槽内填充有分别与所述像素电极和源电极连接的半导体层； 所述像素电极兼做所述薄膜晶体管中的漏电极，形成于所述栅电极上方；所 述源电极形成在基板上，所述栅电极形成于所述源电极上方。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源电极 上形成有第一绝缘层，形成有至少一个过孔的栅电极形成在第一绝缘层上并 位于源电极的上方，栅电极上形成有第二绝缘层，像素电极形成在第二绝缘 层上，填充在过孔内的半导体层的下端与源电极连接，上端与像素电极连接。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源电极 上形成有第一绝缘层，至少一侧形成有过槽的栅电极形成在第一绝缘层上并 位于源电极的上方，栅电极上形成有第二绝缘层，半导体层形成在第二绝缘 层上并填充在所述过槽中，下端与源电极连接，上端与形成在半导体层上的 像素电极连接。

4.根据权利要求2或3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源 电极与第一绝缘层之间还形成有掺杂半导体层，填充在过孔或过槽内的半导 体层的下端与掺杂半导体层连接。

5.根据权利要求2或3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像 素电极与半导体层之间还形成有掺杂半导体层。

6.根据权利要求2或3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第 一绝缘层的厚度为所述栅电极的厚度为所 述第二绝缘层的厚度为

7.根据权利要求1或2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述过 孔的横截面为圆形、椭圆形或多边形，当过孔为圆形时，过孔的直径为6μm～ 8μm。

8.根据权利要求1或3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述过 槽的宽度为6μm～8μm。

9.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成包括第一电极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积第一绝缘层、栅金属层和第二绝缘 层，通过构图工艺形成包括栅电极的图形，所述栅电极上形成有至少一个过 孔或所述栅电极的至少一侧形成有过槽，所述过孔或过槽内暴露出所述第一 电极；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积半导体层，通过构图工艺形成填充 在所述过孔或过槽内且下端与所述第一电极连接的半导体层图形；

步骤4、在完成步骤3的基板上形成第二电极，且第二电极与所述半导 体层连接；其中，所述第一电极或第二电极兼做漏电极，所述第一电极为源 电极；所述第二电极为像素电极。

10.根据权利要求9所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述步骤2具体包括：在完成步骤1的基板上连续沉积第一绝缘层和栅金属 层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅电极图形，并在栅 电极位置形成至少一个过孔；沉积第二绝缘层，通过构图工艺对过孔内的第 二绝缘层和第一绝缘层进行构图，暴露出过孔下方的第一电极。

11.根据权利要求10所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述步骤3具体包括：在完成步骤2的基板上沉积半导体层，通过构图工艺 对半导体层进行构图，完全刻蚀掉过孔周围区域的半导体层，形成填充在过 孔内且下端与第一电极连接的半导体层图形。

12.根据权利要求11所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述步骤4具体包括：在完成步骤3的基板上形成第二电极，且第二电极与 填充在过孔内的半导体层的上端连接。