[发明专利]低介电常数BCB树脂的固化方法无效
| 申请号： | 200810116413.0 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101625983A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 程远兵;周帆;潘教青;陈娓兮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/31;H01L21/312;H01L21/3105;B05D3/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 bcb 树脂 固化 方法 | ||
1.一种低介电常数BCB树脂的固化方法，其是采用阶梯升温的方式来固化BCB树脂，包括三种阶梯固化温度，其特征在于，具体步骤如下：
步骤1：首先在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂；
步骤2：通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保护；
步骤3：加热固化炉，使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂分布均匀，所述的第一温度为70度到100度之间，所述的稳定时间为20分钟到40分钟之间；
步骤4：再将加热固化炉升高到一第二温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂充分挥发，所述的第二温度为140度到160度之间，所述的稳定时间为50分钟到90分钟之间；
步骤5：再将加热固化炉升高至一第三温度，稳定一段时间，在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜，所述的第三温度为250度到325度之间，所述的稳定时间为30分钟到90分钟之间；
步骤6：将加热固化炉的温度降至一预定温度，该预定温度为20度到150度之间，关氮气，取出样品，完成固化工艺。
2.按权利要求1所述的低介电常数BCB树脂的固化方法，其特征在于，其中步骤1中的半导体芯片为InP、GaAs或Si基的芯片。
3.按权利要求1所述的低介电常数BCB树脂的固化方法，其特征在于，其中形成低介电常数的树脂薄膜的介电常数为2.65。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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