[发明专利]一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构

权利要求书

1.一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构，其特征在于，所述发射极结构包括一种 掺杂类型的晶硅衬底(1)，在所述晶硅衬底(1)上制备的与所述晶硅衬底(1)掺杂类型相 反的晶硅层(2)，在所述晶硅层(2)上制备的与所述晶硅层(2)掺杂类型相同的薄膜硅层 (3)，在所述薄膜硅层(3)上制备的透明导电电极层(4)，在透明导电电极层(4)上制备 的金属栅线(5)；其中，所述晶硅层(2)的方块电阻在100Ω/□以上；所述薄膜硅层(3) 与晶硅衬底(1)之间的费米能级差大于所述晶硅层(2)与晶硅衬底(1)之间的费米能级 差；所述薄膜硅层(3)的厚度在1nm到20nm之间。

2.根据权利要求1所述的发射极结构，其特征在于所述的晶硅衬底(1)为单晶硅衬底 或多晶硅衬底；晶硅衬底(1)表面是平面或具有绒面减反射特征结构；所述薄膜硅层(3) 是非晶硅或纳米晶硅或微晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的发射极结构，其特征在于在所述晶硅层(2)和所述薄膜 硅层(3)之间含有一层本征非晶硅层(6)。

4.根据权利要求3所述的发射极结构，其特征在于所述的本征非晶硅层(6)的厚度在 1nm到20nm之间。