[发明专利]硅纳米线装配的方法无效
| 申请号： | 200810116691.6 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101399167A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100041*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 线装 方法 | ||
1.一种硅纳米线装配的方法，包括硅纳米线的平行装配，其特征在于，将多条硅纳米线置于温度场中，所述多条硅纳米线沿所述温度场的方向平行排列，形成平行硅纳米线阵列；
所述温度场包括热端和冷端，所述热端与冷端之间形成所述的温度场。
2.根据权利要求1所述的硅纳米线装配的方法，其特征在于，所述硅纳米线的直径为
以下尺寸中的一种或多种：4.9nm±1.0nm、9.7nm±1.5nm、19.8±2.0nm、30nm±3nm。
3.根据权利要求1或2所述的硅纳米线装配的方法，其特征在于，还包括硅纳米线的正交装配，所述硅纳米线的正交装配包括将一条或多条稀磁硅纳米线置于磁场中，所述稀磁硅纳米线沿所述磁场的方向排列，形成与所述平行硅纳米线阵列垂直的正交阵列。
4.根据权利要求3所述的硅纳米线装配的方法，其特征在于，所述稀磁硅纳米线在生长过程中掺杂Fe元素，并在生长后进行退火处理和磁性激活处理。
5.根据权利要求4所述的硅纳米线装配的方法，其特征在于，所述稀磁硅纳米线为核-鞘型结构，所述核-鞘型结构包括芯部的核和外层的鞘，所述Fe元素掺杂于所述外层的鞘中。
6.根据权利要求4所述的硅纳米线装配的方法，其特征在于，所述Fe元素的掺杂浓度小于或等于5％。
7.根据权利要求3所述的硅纳米线装配的方法，其特征在于，所述硅纳米线和稀磁硅纳米线分别包括p型纳米线或n型纳米线的一种或两种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
