[发明专利]能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构

权利要求书

1.一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，所述的器件分为下层无机红外光探测结构和上层有机发光二极管结构，其特征在于，由以下部分组成：

一N型层；

一本征层，该本征层生长在N型层上；

一P型层，该P型层生长在本征层上；

一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在P型层上；

一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上；

一有机发光层，该有机发光层生长在有机空穴传输层上；

一阴极，该阴极生长在有机电子传输层上的一侧；

一N型欧姆接触层，该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧；

上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。

2.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述的N型欧姆接触层为金锗镍合金，厚度为300nm。

3.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述的N型层为N型的磷化铟，厚度为400-500微米

4.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述的本征层为本征砷化铟镓，厚度为1.5-2微米。

5.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述的P型层为以下任一种材料：P型砷化铟镓、P型砷化铟铝或P型磷化铟，厚度为150-200纳米。

6.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述的有机空穴注入层为以下任一种材料：4，4’，4”-三{N，-(3-甲基苯基)-N-苯胺}-三苯胺、酞氰铜、聚-N-乙烯基咔唑或聚(3，4-二氧乙基噻吩)：聚(对苯乙烯磺酸)。

7.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述的有机空穴传输层为以下任一种材料：N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺或N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺。

8.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述的有机发光层为任意可发绿光的材料，厚度为60-70纳米。

9.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中所述阴极为银、氟化锂/铝或金，厚度为20纳米。

10.根据权利要求1所述的能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，其特征在于，其中有机发光二极管结构的总厚度为150纳米。