[发明专利]一种SAW压力传感器及其传感器部分的制作方法无效
申请号: | 200810116799.5 | 申请日: | 2008-07-17 |
公开(公告)号: | CN101419109A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 张兆华;王肖沐;刘理天 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01L17/00 | 分类号: | G01L17/00;G01L11/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐 宁;关 畅 |
地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 saw 压力传感器 及其 传感器 部分 制作方法 | ||
1、一种SAW压力传感器,其特征在于:它包括传感器和无线读出电路两个部分,所述传感器部分包括一采用硅材料制成的衬底,将所述衬底的背面中间减薄成圆形膜结构,所述膜结构为所述衬底的高形变区,所述衬底的未被减薄部分为固定端;所述衬底的正面覆盖有压电材料薄膜,所述压电材料薄膜上对称设置有两组SAW元件,所述SAW元件包括一射频换能器,一反射器和一消声器,每组所述SAW元件分别响应一个频率;所述射频换能器位于所述衬底的固定端,且所述射频换能器连接一天线;所述反射器位于所述衬底的高形变区,所述反射器和射频换能器之间的所述压电材料薄膜形成SAW延时线;所述消声器位于所述射频换能器和反射器连线的延长线上;
所述无线读出电路部分包括一射频系统和一处理系统,所述射频系统包括一本地震荡器,所述本地震荡器分别连接一频率综合器和一混频器,所述频率综合连接一功率放大器,所述功率放大器分别连接一发射天线,所述混频器连接一低噪声放大器,所述低噪声放大器连接一接收天线;所述处理系统包括一数字信号处理器、一高速采样器和一中频滤波器,所述数字信号处理器分别连接所述频率综合器和所述高速采样器,所述高速采样器连接所述中频滤波器,所述中频滤波器连接所述混频器。
2、如权利要求1所述的一种SAW压力传感器,其特征在于:所述膜结构的厚度至多为所述衬底厚度的1/4。
3、如权利要求1所述的一种SAW压力传感器,其特征在于:所述射频换能器为铝金属形成的交叉单元,所述反射器为封闭梯状结构。
4、如权利要求2所述的一种SAW压力传感器,其特征在于:所述射频换能器为铝金属形成的交叉单元,所述反射器为封闭梯状结构。
5、如权利要求1或2或3或4所述的一种SAW压力传感器,其特征在于:从所述功率放大器输出端引出一个泄露信号,经过180度相移,匮入到所述混频器。
6、如权利要求1或2或3或4所述的一种SAW压力传感器,其特征在于:所述无线读出电路采用直接频率合成技术构成频率综合系统,一个所述无线读出电路支持多个所述传感器部分测量,不同的所述传感器部分采用不同的频率组区分,并采用频分多址接入方式。
7、如权利要求5所述的一种SAW压力传感器,其特征在于:所述无线读出电路采用直接频率合成技术构成频率综合系统,一个所述无线读出电路支持多个所述传感器部分的测量,不同的所述传感器部分采用不同的频率组区分,并采用频分多址接入方式。
8、一种如权利要求1~7所述的SAW压力传感器中传感器部分的制作方法,其包括以下步骤:
1)采用一片<100>晶向双抛硅片作为衬底,硅片的厚度约为200微米;
2)在硅片的上下表面淀积氮化硅;
3)光刻氮化硅窗口,利用各向异性硅腐蚀硅片形成硅杯结构,腐蚀后的圆形膜厚度约为50微米,腐蚀完成后去掉氮化硅;
4)在硅片上淀积压电材料氧化锌,形成压电材料薄膜;
5)在氧化锌上涂光刻胶,在光刻胶上覆盖做有SAW元件图形的掩模板,对光刻胶曝光、显影,最后溅射铝、去胶,这样就在氧化锌上光刻形成铝材料的SAW元件。
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