[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

半导体层和掺杂半导体层，依次形成在基板上；

源电极和漏电极，形成在所述掺杂半导体层上，源电极和漏电极之间的区域为TFT沟道区域，其中源电极与所述数据线连接；

第一绝缘层，形成在所述源电极和漏电极上，其上形成有使所述像素电极与所述漏电极连接的绝缘层过孔；

栅电极，形成在所述第一绝缘层上，并位于所述TFT沟道区域上方，所述栅电极与所述栅线连接；

栅绝缘层，形成在所述栅电极和栅线上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述半导体层与基板之间还形成有遮光层。

3.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

半导体层和掺杂半导体层，依次形成在基板上；

源电极和漏电极，形成在所述掺杂半导体层上，源电极和漏电极之间的区域为TFT沟道区域，其中源电极与所述数据线连接；

第一绝缘层，形成在所述源电极和漏电极上，其上形成有使所述像素电极与所述漏电极连接的绝缘层过孔；

栅电极，形成在所述第一绝缘层上，并位于所述TFT沟道区域上方，所述栅电极与所述栅线连接，所述栅电极和栅线表面形成有通过氧化工艺形成的绝缘金属氧化膜。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述半导体层与基板之间还形成有遮光层。

5.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜，通过第二次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形，同时第一绝缘层在漏电极位置形成有绝缘层过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电薄膜，第三次构图工艺形成包括像素电极的图形，像素电极通过所述绝缘层过孔与漏电极连接；

步骤4、在完成步骤3的基板上形成第二绝缘层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

步骤21、在完成步骤1的基板上沉积一层第一绝缘层，然后沉积一层栅金属薄膜；

步骤22、在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；

步骤23、使用半色调或灰色调掩模板进行曝光和显影处理，形成光刻胶完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域；

步骤24、进行第一次刻蚀，完全刻蚀掉绝缘层过孔位置的栅金属薄膜，部分刻蚀掉该位置的第一绝缘层；

步骤25、通过灰化工艺完全去除部分保留区域的光刻胶；

步骤26、进行第二次刻蚀，形成栅线和栅电极图形；

步骤27、进行第三次刻蚀，将绝缘层过孔处的第一绝缘层完全刻蚀掉，暴露出漏电极。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：在形成像素电极图形后，在未进行光刻胶剥离的基板上沉积栅绝缘层，使栅绝缘层完全覆盖整个基板，然后进行光刻胶离地剥离工艺，使附着在光刻胶上的栅绝缘层一同被剥离。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：形成像素电极图形后，直接进行光刻胶剥离工艺，然后对暴露在外的栅电极和栅线表面进行氧化处理，形成绝缘金属氧化膜。

9.根据权利要求5～8中任一权利要求所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1中在基板上沉积半导体层之前，先沉积一层遮光层。