[发明专利]一种细晶粒渗碳齿轮用钢及其制造方法无效
申请号: | 200810116961.3 | 申请日: | 2008-07-22 |
公开(公告)号: | CN101319294A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 王毛球;董瀚;徐香秋;王连海;赵亚平;惠卫军;时捷 | 申请(专利权)人: | 钢铁研究总院 |
主分类号: | C22C38/32 | 分类号: | C22C38/32;C21D8/02 |
代理公司: | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人: | 金向荣 |
地址: | 100081*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶粒 渗碳 齿轮 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明属于合金钢领域,特别涉及一种细晶粒渗碳齿轮用钢及其制造方法。
背景技术
20CrMoH钢(相当于日本的SCM420H钢和美国的SAE4118H钢)是国内外最常用的渗碳齿轮钢之一,广泛用于制造汽车传动系统中的重要齿轮。随着汽车产量和用量的日益增加,对资源、环境和能源的压力也不断增大,因此迫切需要提高汽车的使用性能,包括减重和长寿命化等方面。汽车传动系统性能的提高对汽车的长寿命化和减重至关重要,因此提高汽车齿轮钢的疲劳性能具有重要的意义。细化晶粒是提高汽车齿轮钢疲劳性能的一种重要方法,美国Matlock等人的研究结果表明,细化晶粒对提高齿轮的抗疲劳破坏性能效果十分显著(Matlock DK et al.Materials Research,2007,8:453)。不过,以20CrMoH钢为代表的渗碳齿轮钢,由于需要经930℃左右高温长时间渗碳处理,在渗碳过程中其奥氏体晶粒容易长大,很难控制在8级以下。
通过微合金化方法可以细化钢的晶粒,不过细化效果与微合金化元素所形成的第二相析出物的大小、数量、分布及稳定性等密切相关。在齿轮钢中,通常采用控制Al的含量,形成AlN析出相来细化晶粒,但由于AlN析出相在渗碳温度下容易溶解到钢中,其细化效果有限。此外,有些齿轮钢通过添加微合金化元素Ti(如我国的20CrMnTi齿轮钢)或B(如德国的ZF6齿轮钢),形成较难溶解的TiN和BN来细化晶粒,不过由于Ti易形成粗大的TiN颗粒和BN易导致晶粒尺寸不均匀,这些齿轮钢的生产工艺控制难度较大。
最近,国内外纷纷开发通过Nb微合金化来细化晶粒的齿轮钢。日本专利JP2000-160288通过添加0.03-0.06%的Nb,使SCr420H等齿轮钢的渗碳温度提高到了1050℃,且奥氏体晶粒没有显著粗化;我国专利ZL200610089371.7则通过添加0.03-0.15%的Nb进行微合金化,开发了一种高强度的细晶粒Cr-Ni-Mo系重载齿轮钢,其奥氏体晶粒度高于10级。以上Nb微合金化齿轮钢是通过析出Nb(C,N)颗粒来阻止奥氏体长大的,Nb(C,N)具有比AlN稳定性高、比TiN和BN容易控制等优点。不过,在Nb微合金化齿轮钢中,由于Nb(C,N)析出相在奥氏体晶界析出,使钢的热塑性低谷区凸显(原奥氏体晶界强度减弱),结果导致其容易发生表面开裂,热加工难度加大(如终轧温度或终锻温度不能低于900℃)。相对于Cr系和Cr-Ni-Mo系齿轮钢,添加Nb后的Cr-Mo系齿轮钢(如20CrMoH钢)因有Mo和无Ni的成分特点,其热加工问题将更为突出。
此外,齿轮钢的淬透性因晶粒细化会有所降低,根据SAE J406标准,晶粒度每增加一级,淬透性降低8%。另外,NbC析出会使奥氏体中固溶的C含量下降,从而进一步降低淬透性。如采用Nb微合金化20CrMoH细化晶粒来提高疲劳性能,还必须考虑因晶粒细化和NbC析出导致的淬透性下降问题。显然,通过添加B可以有效提高齿轮钢淬透性,但同时必须确保添加的B不因BN析出而起不到提高淬透性作用。因此,在开发细晶粒渗碳齿轮钢时,有必要进行多元微合金化处理方法,综合利用各种微合金化元素的优点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶粒细化、渗碳后弯曲疲劳强度高、接触疲劳寿命长的细晶粒渗碳齿轮用钢及其制造方法。
根据上述目的,本发明整体的技术方案是:(1)通过添加微合金化元素Nb,形成NbC和Nb(C,N)以阻止渗碳时奥氏体晶粒的长大,从而保证奥氏体晶粒度大于10级;(2)通过添加B、Ti等元素,利用多元微合金化方法,以提高齿轮钢在800-900℃热塑性,防止因塑性降低而导致热加工难度增加;(3)通过添加Ti≥2[N],B≥([N]-Ti/3.4)/1.4+0.001,利用固溶的B保证钢的淬透性不因晶粒细化和NbC析出而降低;(4)通过添加Mn、Al等元素,可以保证获得低的[0]含量,从而改善疲劳性能;(5)降低P、S等杂质元素含量,以提高渗碳层和基体的韧性,进一步改善疲劳性能;(6)通过降低终轧温度到900℃以下,细化渗碳前初始晶粒,从而确保奥氏体晶粒度大于10级。
根据上述目的和整体技术方案,本发明具体的技术方案为:
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