[发明专利]一种聚吡咯纳米结构电极及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 200810117014.6 申请日: 2008-07-22
公开(公告)号: CN101635201A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 黄际勇;王凯;魏志祥 申请(专利权)人: 国家纳米科学中心
主分类号: H01G9/04 分类号: H01G9/04;H01G9/035;H01G9/155
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 郭广迅
地址: 100190北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 吡咯 纳米 结构 电极 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种聚吡咯纳米结构电极,该电极基材上仅覆盖均匀分布的聚吡咯纳米线阵列,该阵列上的聚吡咯纳米线间距为100-200nm,并且该阵列在所述的基材上整齐排列。

2.根据权利要求1所述的电极,其中,所述阵列上的聚吡咯纳米线间距为140-170nm。

3.根据权利要求1所述的电极,其中,所述聚吡咯纳米线阵列的纳米线直径为70-100nm,长度为500nm-3μm。

4.根据权利要求2所述的电极,其中,所述聚吡咯纳米线阵列的纳米线直径为70-100nm,长度为500nm-3μm。

5.根据权利要求3所述的电极,其中,所述聚吡咯纳米线阵列的纳米线的长度为2μm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的电极,其中,所述电极基材为碳基电极基材、导电金属电极基材或半导体电极基材。

7.根据权利要求6所述的电极,其中,所述碳基电极基材为导电碳纤维基材或石墨电极基材,所述导电金属电极基材为镀金铂电极基材、镍电极基材、铜电极基材、银电极基材或铅电极基材,所述半导体电极基材为镀金的硅电极基材。

8.一种用于制备权利要求1-7中任一项所述的电极的电解液,该电解液包含以下成分:pH值为6.50-6.96的磷酸缓冲溶液、掺杂剂和吡咯单体,所述的掺杂剂为含有磺酸基团的表面活性剂。

9.根据权利要求8所述的电解液,其中,所述掺杂剂在电解液中的浓度为0.01-0.1mol L-1

10.根据权利要求8或9所述的电解液,其中,所述含有磺酸基团的表面活性剂为对甲基苯磺酸、樟脑磺酸或萘磺酸。

11.根据权利要求8或9所述的电解液,其中,所述吡咯单体在电解液中的浓度为0.1-0.2mol L-1

12.根据权利要求10所述的电解液,其中,所述吡咯单体在电解液中的浓度为0.1-0.2mol L-1

13.一种制备权利要求1-7中任一项所述电极的方法,该方法为:向权利要求8-12中任一项所述电解液中加入工作电极的基材、对电极和参比电极,在电极间通电,直到聚吡咯纳米线阵列覆盖工作电极基材,得到聚吡咯纳米结构电极。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,在电极间通入10-45分钟的恒电流。

15.根据权利要求13或14所述的方法,其中,在电极间通入25-35分钟的0.4-0.6mA的电流。

16.权利要求1-7中任一项所述的电极在超级电容器中的应用。

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