[发明专利]一种反应腔室及具有该反应腔室的等离子体处理系统无效
| 申请号： | 200810117297.4 | 申请日： | 2008-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101640165A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张之山 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;B01J3/03;H01J37/32;H05H1/00;C23C16/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张天舒;陈 源 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反应 具有 等离子体 处理 系统 | ||
1.一种反应腔室，其设置有与真空泵相连的真空泵接口，其特征在于，对应于腔室内的拐角位置设置导流部，所述导流部的形状和设置方向顺应腔室内的气流方向，用以减小甚至避免腔室内的气流在此出现反射以及湍流现象。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述导流部呈斜面结构状。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述斜面结构状导流部的两端设置有圆倒角。
4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述斜面结构状导流部与邻接壁面之间的夹角大于90度。
5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述导流部呈弧面结构状。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述弧面结构状导流部与邻接壁面之间圆滑过渡。
7.根据权利要求4或6所述的反应腔室，其特征在于，所述壁面包括腔室内壁和/或腔室各接口的内壁。
8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述腔室内的拐角位置包括腔室内壁上的拐角和/或真空泵接口位置处的拐角和/或腔室内部功能模块的拐角。
9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还设置有真空规和/或大气开关和/或观察窗和/或充气管路，相应地，所述腔室内的拐角位置还包括真空规和/或大气开关和/或观察窗和/或充气管路各自接口位置处的拐角。
10.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述拐角包括直角拐角和/或锐角拐角和/或钝角拐角。
11.一种等离子体处理系统，包括真空泵，其特征在于，还包括如权利要求1至10中任意一项所述的反应腔室，所述反应腔室与所述真空泵相连，用以对所述反应腔室抽真空。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
