[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 200810117501.2 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101640175A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李敏;郑春生;张子莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，包括，提供具有半导体器件的衬 底；在所述半导体器件上形成金属前介质层；其特征在于，所述的形成 金属前介质层的步骤至少包括以下两个阶段：
第一阶段，形成覆盖所述半导体器件的保护层，形成所述保护层的 工艺为等离子体沉积工艺，且所述等离子体沉积工艺中偏置射频功率为 零；
第二阶段，执行等离子体沉积工艺，在所述保护层上沉积介质材料； 所述第二阶段中的等离子体沉积工艺分为多次执行，且随着次数增大， 等离子体沉积工艺中的偏置射频功率增大。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所 述第一阶段和第二阶段原位执行或在不同的工艺腔中分别执行。
3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所 述第一阶段形成的保护层与所述第二阶段沉积的介质材料为同种材质。
4.如权利要求1至3任一权利要求所述的半导体结构的制造方法， 其特征在于：所述保护层小于或等于所述介质层的厚度的三分之一。
5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所 述介质层的材质为磷硅玻璃。
6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：等 离子体沉积工艺包括等离子体辅助化学气相沉积或高密度等离子体化 学气相沉积工艺。
7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所 述保护层为氧化硅、氮化硅或氧化硅-氮化硅的叠层结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
