[发明专利]焊垫结构的制作方法有效
| 申请号： | 200810117505.0 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101640179A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种焊垫结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有半导体器件的基底，所述基底至少包括金属间介质层和镶嵌于金属间介质层中的金属互连层；
形成覆盖于金属间介质层和金属互连层表面上钝化层，在所述钝化层中形成开口，将金属互连层露出；
在所述开口中形成用于制作焊垫的、具有稳态晶相的金属层；
图案化所述金属层从而形成焊垫结构；
其中，所述形成用于制作焊垫的、具有稳态晶相的金属层采用物理气相沉积法，并且所述物理气相沉积法的沉积温度高于所述金属层的二次析晶温度。
2.根据权利要求1所述的焊垫结构的制作方法，其特征在于，所述物理气相沉积法为等离子溅射法。
3.根据权利要求2所述的焊垫结构的制作方法，其特征在于，所述金属层为含铜0.5wt％的铜铝合金，所述等离子溅射法的沉积温度为400℃至420℃。
4.根据权利要求1所述的焊垫结构的制作方法，其特征在于，所述物理气相沉积法为脉冲激光法。
5.根据权利要求1至4任一项所述的焊垫结构的制作方法，其特征在于，在所述开口中形成用于制作焊垫的、具有稳态晶相的金属层之后还包括检查所述金属层的晶相组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
