[发明专利]一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜，包括La_0.67Ca_0.33MnO₃外延膜(1)和NdGaO₃单晶基片(2)，其特征在于：在边长为3-5mm，厚度为0.3-0.5mm的(001)取向NdGaO₃单晶基片(2)上是一层厚度为4-70nm的La_0.67Ca_0.33MnO₃外延膜(1)。

2.如权利要求1所述的一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜的制备方法，其特征在于包括以下几个步骤：

(1)选用传统固相反应法制备出的La_0.67Ca_0.33MnO₃多晶做靶材；

(2)选择单晶基片NdGaO₃；

(3)利用激光脉冲沉积系统在NdGaO₃单晶基片上面生长外延的La_0.67Ca_0.33MnO₃薄膜；

(4)将原位制得的La_0.67Ca_0.33MnO₃/NdGaO₃异质膜置于管式炉中进行退火处理；

步骤(3)中La_0.67Ca_0.33MnO₃薄膜在NdGaO₃单晶基片上面的生长面取(001)方向；

步骤(3)中的激光脉冲沉积所选择的激光的能量范围为170-210mJ；

步骤(3)中的激光脉冲沉积所选择的沉积气氛为氧气；

步骤(3)中的激光脉冲沉积所选择的沉积压强为10-60Pa；

步骤(3)中的激光脉冲沉积所选择的沉积温度为680-750℃。

3.根据权利要求2所述的一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)所选择的单晶基片NdGaO₃和步骤(1)制备的La_0.67Ca_0.33MnO₃无长度失配但有较大角度失配。

4.根据权利要求2所述的一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所选择的退火温度为650-850℃，持续时间为180-300分钟。

5.根据权利要求2所述的一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中的管式炉中充有流动的氧气。