[发明专利]一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液有效
| 申请号： | 200810117832.6 | 申请日： | 2008-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101333419A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 路新春;张伟;雒建斌;刘宇宏;潘国顺 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C09G1/14 | 分类号： | C09G1/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张庆敏 |
| 地址： | 100084北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 布线 无磨粒 化学 机械抛光 | ||
1.一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，包括：去离子水、氧化剂、络合剂、杂环类缓蚀剂和杂环类缓蚀剂的复配用缓蚀剂，其中，络合剂为2～40毫摩尔每升，氧化剂所占的质量百分含量为1～20％，杂环类缓蚀剂所占的质量百分含量为0.05～0.5％，所述杂环类缓蚀剂为硫脲类杂环缓蚀剂，杂环类缓蚀剂的复配用缓蚀剂所占的质量百分含量为0.02～0.5％，所述杂环类缓蚀剂的复配用缓蚀剂为表面吸附类复配用缓蚀剂或自由基淬灭类复配用缓蚀剂，所述表面吸附类复配用缓蚀剂为含硫有机磺酸盐，所述自由基淬灭类复配用缓蚀剂为抗坏血酸，其余为去离子水，所述抛光液pH值为8.5～12。
2.如权利要求1所述的集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化剂为过氧化物，所述过氧化物为双氧水、过乙酸、过氧化苯甲酰、过硫酸钾和过硫酸铵，其质量百分含量为2～5％。
3.如权利要求1所述的集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，所述络合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸、氨基三亚甲基膦酸、己二胺四亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸、二乙烯三胺五亚甲基膦酸，膦酰基羟基乙酸，2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸，多氨基多醚基甲叉膦酸。
4.根据权利要求3所述的集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，所述络合剂选自二乙烯三胺五亚甲基膦酸，2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸，多氨基多醚基甲叉膦酸。
5.根据权利要求.1所述的集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，所述的硫脲类杂环缓蚀剂为亚乙基硫脲，其质量百分比为0.1～0.3％。
6.如权利要求1所述的集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，所述含硫有机磺酸盐的质量百分比为0.05～0.3％。
7.如权利要求1所述的集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，其特征在于，所述抗坏血酸的质量百分比为0.1～0.5％。
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