[发明专利]一种太阳光谱选择性吸收膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810117950.7 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101344334A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 范天方 | 申请（专利权）人： | 范天方 |
| 主分类号： | F24J2/48 | 分类号： | F24J2/48;F24J2/05;F24J2/24;B32B7/02;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京国林贸知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刁玉生 |
| 地址： | 271000*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 光谱 选择性 吸收 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳光谱选择性吸收膜，包括一个覆膜基体，在该基体表面上由内向外依次覆盖红外反射层、吸收层、减反射层；其特征在于：所述的红外反射层是包含有钛元素+铝元素+硅元素的溅射沉积层，所述的吸收层是包含有铝氮团簇+钛氮团簇+硅氮团簇+铝钛硅团簇的溅射沉积层；所述的减反射层是包含有铝氮团簇+钛氮团簇+硅氮团簇的溅射沉积层。
2.根据权利要求1所述的选择性吸收膜，其特征在于：所述的红外反射层的厚度为70～90纳米；所述的吸收层的厚度为70～90纳米；所述的减反射层厚度为40～60纳米。
3.一种太阳光谱选择性吸收膜的制备方法，其特征在于：
A、将覆膜基体安装到磁控溅射镀膜装置的镀膜室内，该镀膜室内的真空度设置为0.0060Pa～0.0070Pa，该磁控溅射镀膜装置包括一个钛硅合金靶、一个铝合金靶；
B、向所述的镀膜室输入氩气，使溅射反应气氛稳定在0.20Pa～0.28Pa，接通铝合金靶电源，溅射反应2-3分钟；
C、接通钛硅合金靶电源，向所述的镀膜室输入氮气，溅射反应10-14分钟，并且逐渐增加氮气的输入量，使覆膜基体表面上的溅射沉积物最外层中的钛元素、铝元素、硅元素逐渐减少，最终趋近于零；
D、启动烘烤装置，烘烤装置内的真空度设置为0.0060Pa～0.0067Pa，烘烤温度设置为380℃～420℃，对覆膜基体上的溅射沉积物烘烤处理2.5～3小时，生成太阳光谱选择性吸收膜；所述选择性吸收膜包括红外反射层、吸收层、减反射层；所述的红外反射层是包含有钛元素+铝元素+硅元素的溅射沉积层，所述的吸收层是包含有铝氮团簇+钛氮团簇+硅氮团簇+铝钛硅团簇的溅射沉积层；所述的减反射层是包含有铝氮团簇+钛氮团簇+硅氮团簇的溅射沉积层。
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