[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制造、修复方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线，数据线，栅线和数据线交叉定义的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，设置在阵列基板外围的修复线，并与数据线在外围区域形成交叉，其特征在于，在靠近所述修复线与数据线交叉部位的所述修复线上方形成有与所述修复线接触的第一电极，在靠近所述修复线与所述数据线交叉部位的所述数据线上方形成有与所述数据线接触的第二电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述修复线具有突起，在所述修复线的突起的上方形成有与所述修复线接触的第一电极。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线具有突起，在所述数据线的突起的上方形成有与所述数据线接触的第二电极。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一电极和第二电极的材料与所述像素电极相同，并且与所述像素电极形成在同层上。

5.一种包括权利要求1-4任一所述薄膜晶体管阵列基板的已修复薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，至少包括一断开的数据线，在所述断开数据线与所述修复线交叉部位处，所述第一电极和第二电极上面沉积有导电层，所述第一电极和所述第二电极通过导电层连接。

6.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括在玻璃基板上依次形成栅线层和修复线、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线，其特征在于，还包括：

步骤1、在形成栅线层和修复线、栅绝缘层、有源层、源漏电极和数据线的玻璃基板上，沉积钝化层；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极过孔，同时刻蚀靠近所述修复线和数据线交叉部位的所述数据线上方的钝化层形成第二电极过孔，以及刻蚀靠近所述修复线和数据线交叉部位的所述修复线上方的钝化层和栅绝缘层形成第一电极过孔；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，沉积透明电极层；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留靠近所述修复线和数据线交叉部位的数据线上方和修复线上方的透明电极，形成第一电极和第二电极，其中第一电极通过第一电极过孔与修复线连接；第二电极通过第二电极过孔与数据线连接。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1中在形成修复线的同时，在靠近所述修复线和数据线交叉部位的所述修复线上形成突起；

所述步骤2中形成的第一电极过孔位于所述修复线的突起的上方；

所述步骤4中形成的第一电极位于所述修复线的突起的上方并通过所述第一电极过孔与所述修复线的突起连接。

8.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1中在形成数据线的同时，在靠近所述修复线和数据线交叉部位的所述数据线上形成突起；

所述步骤2中形成的第二电极过孔位于所述数据线的突起的上方；

所述步骤4中形成的第二电极位于所述数据线的突起的上方并通过所述第二电极过孔与所述数据线的突起连接。

9.一种薄膜晶体管阵列基板修复方法，该方法应用于权利要求6-8任一所述薄膜晶体管阵列基板制造方法所制造的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于包括：至少形成有一断开的数据线，在所述断开数据线与所述修复线交叉部位处，形成第三电极，所述第三电极位于所述第一电极和第二电极的上方，并将所述第一电极和所述第二电极连接起来。