[发明专利]二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法有效
申请号: | 200810118107.0 | 申请日: | 2008-08-12 |
公开(公告)号: | CN101649483A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 刘春艳;张森;刘云 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | C30B7/14 | 分类号: | C30B7/14;C30B29/16;C30B29/62;C01G23/053;B82B3/00 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法,是利用晶种诱导在基底表 面生长二氧化钛纳米棒阵列,其特征是:
将涂有晶种的基底浸没于含有无机盐的钛盐水溶液中,于30~100℃下恒 温,在基底表面生长出二氧化钛纳米棒阵列,然后将基底取出,清洗、干燥 后,即得到与基底结合牢固的二氧化钛纳米棒阵列薄膜;
所述的晶种为二氧化钛晶粒、无定形二氧化钛颗粒、金颗粒、银颗粒、 氧化锌颗粒或氧化锡颗粒;
二氧化钛纳米棒的生长方向基本垂直于基底,有序排列于基底表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是:所述的含有无机盐的钛盐水 溶液是由15~99.995重量份的水、0~75重量份的无机盐和0.005~50重量 份的钛盐组成,以钛盐的重量份为准。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征是:所述的无机盐为氟化物、 硫酸盐或氯化盐。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征是:所述的氟化物是氟化钠、氟 化钾或氟化铵;所述的硫酸盐是硫酸钠或硫酸钾;所述的氯化盐是氯化铵、 氯化钾、氯化钠或氯化钙。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征是:所述的钛盐为四氯化钛、 三氯化钛、硫酸氧钛或硫酸钛。
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