[发明专利]一种具有功能特性的异质结场效应管

权利要求书

1.一种具有功能特性的异质结场效应管，包括：衬底(1)、源极(2)、 漏极(3)、栅绝缘材料层(4)、源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)； 其特征在于，所述的衬底(1)是n型或p型硅单晶基片；

所述的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)为导电金属层；

其中在n型的所述衬底(1)上生长一p型钙钛矿氧化物材料层或者在p 型衬底(1)上生长一n型钙钛矿氧化物材料层，并在所述的p型或n型钙钛 矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极(2)， 另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极(3)，在所述的源极(2)、漏极(3) 和所述的槽上沉积所述的栅绝缘材料层(4)，并且在源极(2)和漏极(3) 之上的栅绝缘材料层(4)部分分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在 该源电极引线孔内制备所述的源电极(5)，在漏电极引线孔内制备所述的漏 电极(6)，在所述的栅绝缘材料层(4)上制备所述的栅电极(7)；

所述的源极(2)和漏极(3)是钙钛矿氧化物材料；

所述的栅绝缘材料层(4)为非晶的SiO₂材料。

2.一种具有功能增强特性的异质结场效应管，包括：衬底(1)、源极 (2)、漏极(3)、栅绝缘材料层(4)、源电极(5)、漏电极(6)和栅电 极(7)；其特征在于，所述的衬底(1)是n型或p型硅单晶基片；

所述的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)为导电金属层；

其中在所述衬底(1)上生长钙钛矿氧化物材料层，该钙钛矿氧化物材料 层为两层或两层以上且是由n型和p型钙钛矿氧化物交替生长在一起组成的 p-n异质结材料，并且直接与所述衬底(1)接触的一层钙钛矿氧化物的导电 类型与所述衬底(1)的导电类型不同，在所述钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一 槽，该槽一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极(2)，另一侧的钙钛矿氧化物材 料层为漏极(3)，在所述的源极(2)、漏极(3)和所述的槽上沉积所述的 栅绝缘材料层(4)，并且在源极(2)和漏极(3)之上的栅绝缘材料层(4) 部分分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备所 述的源电极(5)，在漏电极引线孔内制备所述的漏电极(6)，在所述的栅 绝缘材料层(4)上制备所述的栅电极(7)；

所述的源极(2)和漏极(3)是钙钛矿氧化物材料；

所述的栅绝缘材料层(4)为非晶的SiO₂材料。

3.按权利要求1或2所述的异质结场效应管，其特征在于：所述的钙 钛矿氧化物材料包括：n型或p型掺杂的SrTiO₃、n型或p型掺杂的BaTiO₃、 n型或p型掺杂的锰酸盐或BiFeO₃。

4.按权利要求3所述的异质结场效应管，其特征在于：所述的n型掺 杂SrTiO₃是SrA_xTi_1-xO₃或Sr_1-xLa_xTiO₃，其中A是Nb或Sb或Ta，x的取值范 围为0.005-0.5；

所述的p型掺杂SrTiO₃是SrB_xTi_1-xO₃，其中B是In或Mn，x的取值范围 为0.005-0.5。

5.按权利要求3所述的异质结场效应管，其特征在于：所述的n型掺 杂BaTiO₃是BaC_xTi_1-xO₃或Ba_1-xLa_xTiO₃，其中C是Nb或Sb或Ta，x的取值范 围为0.005-0.5；

所述的p型掺杂BaTiO₃是BaD_xTi_1-xO₃，其中D是In或Mn，x的取值范围 为0.005-0.5。

6.按权利要求3所述的异质结场效应管，其特征在于：所述的n型掺 杂锰酸盐是La_1-xE_xMnO₃，其中E是Te或Nb或Sb或Ta，x的取值范围为 0.005-0.5；

所述的p型掺杂锰酸盐是La_1-xF_xMnO₃，其中F是Sr或Ca或Ba或Pr，x 的取值范围为0.005-0.5。