[发明专利]具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器有效

专利信息
申请号: 200810118320.1 申请日: 2008-08-13
公开(公告)号: CN101651286A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 黄祖炎;宋国锋;王青;韦欣;陈良惠 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/14 分类号: H01S5/14;H01S5/183;H01S5/04;H01S5/024;H01S5/343;H01S5/323;H01S5/125;H01S5/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具有 梯度 带隙势垒 吸收 光泵浦 垂直 外腔面 发射 激光器
【权利要求书】:

1.一种具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器, 其特征在于,包括:

一铜热沉,该铜热沉上开有一凹槽;

一透明热沉,该透明热沉的上表面蒸镀有增透膜;

一外延片,该外延片采用液体吸附的方法与透明热沉的下表面连接, 将连接后透明热沉和外延片通过焊料与铜热沉固定连接,使外延片容置在 凹槽内;

该外延片包括:

一衬底;

多层布拉格反射镜,该多层布拉格反射镜制作在衬底上;

多个周期的有源区,该多个周期的有源区制作在多层布拉格反射镜的 上面;

一窗口层,该窗口层制作在多个周期的有源区的上面;

该多个周期的有源区中的一个周期的有源区包括:

一量子阱层,包含1-3个量子阱;

两势垒吸收层,该两势垒吸收层分别制作在量子阱层的上下面,该势 垒吸收层的带隙向量子阱方向梯度减小;

两势垒限制层,该两势垒限制层分别制作在两势垒吸收层的表面;

一泵浦光源,该泵浦光源与轴线成一定的角度置于透明热沉上表面的 一侧;

一外腔镜,该外腔镜位于透明热沉上面的轴线处,该外腔镜的凹面镀 有反射膜。

2.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中还包括一微通道散热片,该微通道散 热片固接在铜热沉的下面。

3.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述多层布拉格反射镜为重复交替 地堆叠的具有不同折射率的两种半导体层,每个半导体层的光学厚度为该 激光器发射波长的四分之一。

4.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述有源区为5-15个周期。

5.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述有源区为InGaAs/AlGaAs或 InGaAsP/InP材料。

6.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述透明热沉采用金刚石或SiC或 蓝宝石。

7.根据权利要求1-6任一项所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵 浦垂直外腔面发射激光器,其特征在于,所述激光器还包括一倍频晶体, 该倍频晶体位于所述外腔镜和所述透明热沉之间。

8.根据权利要求7所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中反射膜对基频光具有反射率,对倍频 光具有透过率。

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