[发明专利]具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器有效
申请号: | 200810118320.1 | 申请日: | 2008-08-13 |
公开(公告)号: | CN101651286A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 黄祖炎;宋国锋;王青;韦欣;陈良惠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/14 | 分类号: | H01S5/14;H01S5/183;H01S5/04;H01S5/024;H01S5/343;H01S5/323;H01S5/125;H01S5/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 梯度 带隙势垒 吸收 光泵浦 垂直 外腔面 发射 激光器 | ||
1.一种具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器, 其特征在于,包括:
一铜热沉,该铜热沉上开有一凹槽;
一透明热沉,该透明热沉的上表面蒸镀有增透膜;
一外延片,该外延片采用液体吸附的方法与透明热沉的下表面连接, 将连接后透明热沉和外延片通过焊料与铜热沉固定连接,使外延片容置在 凹槽内;
该外延片包括:
一衬底;
多层布拉格反射镜,该多层布拉格反射镜制作在衬底上;
多个周期的有源区,该多个周期的有源区制作在多层布拉格反射镜的 上面;
一窗口层,该窗口层制作在多个周期的有源区的上面;
该多个周期的有源区中的一个周期的有源区包括:
一量子阱层,包含1-3个量子阱;
两势垒吸收层,该两势垒吸收层分别制作在量子阱层的上下面,该势 垒吸收层的带隙向量子阱方向梯度减小;
两势垒限制层,该两势垒限制层分别制作在两势垒吸收层的表面;
一泵浦光源,该泵浦光源与轴线成一定的角度置于透明热沉上表面的 一侧;
一外腔镜,该外腔镜位于透明热沉上面的轴线处,该外腔镜的凹面镀 有反射膜。
2.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中还包括一微通道散热片,该微通道散 热片固接在铜热沉的下面。
3.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述多层布拉格反射镜为重复交替 地堆叠的具有不同折射率的两种半导体层,每个半导体层的光学厚度为该 激光器发射波长的四分之一。
4.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述有源区为5-15个周期。
5.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述有源区为InGaAs/AlGaAs或 InGaAsP/InP材料。
6.根据权利要求1所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中,所述透明热沉采用金刚石或SiC或 蓝宝石。
7.根据权利要求1-6任一项所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵 浦垂直外腔面发射激光器,其特征在于,所述激光器还包括一倍频晶体, 该倍频晶体位于所述外腔镜和所述透明热沉之间。
8.根据权利要求7所述的具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外 腔面发射激光器,其特征在于,其中反射膜对基频光具有反射率,对倍频 光具有透过率。
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