[发明专利]一种制作微元件的方法

权利要求书

1.一种制作微元件的方法，包括如下步骤：

1)在基底表面制作环化橡胶负性光刻胶层；

2)在所述环化橡胶负性光刻胶层上制作环氧基负性光刻胶层；

3)进行光刻，得到微元件；

所述基底由硅、玻璃、金属、塑料和陶器中的至少一种材料制成；

所述环化橡胶负性光刻胶由如下成分组成：环化聚异物二烯、光敏剂、增感剂和溶剂；

所述环氧基负性光刻胶为SU-8光刻胶。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层和所述环化橡胶负性光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步骤1)和步骤2)之间还包括光刻所述环化橡胶负性光刻胶层的步骤；所述步骤3)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层。

4.根据权利要求1至3中任一所述的方法，其特征在于：所述方法中，还包括将得到的微元件在150-200℃加热0.5-2小时的步骤。

5.一种制作微元件的方法，包括如下步骤：

i)先在基底表面沉积电镀金属层；

ii)在所述金属层表面制作环化橡胶负性光刻胶层；

iii)在所述环化橡胶负性光刻胶层上制作环氧基负性光刻胶层；

iv)光刻，得到具有三维微结构的器件；

v)在所述具有三维微结构的器件上镀金属；

vi)去除剩余的环氧基负性光刻胶和环化橡胶负性光刻胶，得到微元件；

所述基底由硅、玻璃、金属、塑料和陶器中的至少一种材料制成；

所述环化橡胶负性光刻胶由如下成分组成：环化聚异物二烯、光敏剂、增感剂和溶剂；

所述环氧基负性光刻胶为SU-8光刻胶。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述电镀金属为铜、镍、铁、金、银、铂镍钴合金或钴钨合金。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于：所述步骤iv)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层和所述环化橡胶负性光刻胶层。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于：在所述步骤ii)和步骤iii)之间还包括光刻所述环化橡胶负性光刻胶的步骤；所述步骤iv)的光刻为光刻环氧基负性光刻胶层。