[发明专利]单模量子级联激光器线阵列结构无效
| 申请号： | 200810118963.6 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101662124A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 高瑜;刘峰奇;刘俊岐;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单模 量子 级联 激光器 阵列 结构 | ||
1.一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括：
一衬底；
多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列；
一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口；
一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上；
一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。
2.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中衬底为磷化铟材料。
3.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中多个脊形单元的数量为2-40个。
4.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中多个脊形结构列中各脊形单元由依次外延生长在衬底上的InGaAs、InAlAs和InP量子级联结构构成。
5.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中各脊形单元是线阵列的发光区。
6.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中每个脊形单元的宽度为10-50μm。
7.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中脊形单元的周期为250μm。
8.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中脊形结构列的长度小于150μm。
9.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中隔离层的材料为SiO2或者Si3N4。
10.根据权利要求1所述的单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，其中在脊形结构列的一腔面制作高反膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810118963.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可换线的牙线架及其加工方法
- 下一篇：一种上下结构空间瓶子的制造方法
