[发明专利]一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法无效

专利信息
申请号: 200810118964.0 申请日: 2008-08-27
公开(公告)号: CN101662123A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 郑婉华;刘安金;邢名欣;渠宏伟;陈微;周文君;陈良惠 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 抑制 垂直 发射 激光器 发散 方法
【权利要求书】:

1、一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。

2、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述刻蚀空气孔图形时,空气孔的刻蚀深度为上DBRs厚度的40%至80%。

3、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述刻蚀空气孔图形时,所述空气孔是三角晶格排列的光子晶体空气孔,或者是四方晶格排列的光子晶体空气孔,或者是环形排列的三角状空气孔,或者是环形排列的扇环状空气孔。

4、根据权利要求3所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述三角晶格排列或者四方晶格排列的光子晶体空气孔,其元胞是圆形空气孔型,或者是椭圆形空气孔型,或者是方形空气孔型,或者是其他任意形状的空气孔型。

5、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的出光孔径区,是三角晶格排列的光子晶体或者是四方晶格排列的光子晶体的缺陷区,或者是环形排列的三角状空气孔包围的区域,或者是环形排列的扇环状空气孔包围的区域。

6、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的空气孔区,既是高损耗区,同时也是包层区。

7、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的氧化孔径比出光孔径大。

8、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的工作波长,覆盖深紫外到远红外波段。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810118964.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top