[发明专利]一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法无效
申请号: | 200810118964.0 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN101662123A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 郑婉华;刘安金;邢名欣;渠宏伟;陈微;周文君;陈良惠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 垂直 发射 激光器 发散 方法 | ||
1、一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。
2、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述刻蚀空气孔图形时,空气孔的刻蚀深度为上DBRs厚度的40%至80%。
3、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述刻蚀空气孔图形时,所述空气孔是三角晶格排列的光子晶体空气孔,或者是四方晶格排列的光子晶体空气孔,或者是环形排列的三角状空气孔,或者是环形排列的扇环状空气孔。
4、根据权利要求3所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述三角晶格排列或者四方晶格排列的光子晶体空气孔,其元胞是圆形空气孔型,或者是椭圆形空气孔型,或者是方形空气孔型,或者是其他任意形状的空气孔型。
5、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的出光孔径区,是三角晶格排列的光子晶体或者是四方晶格排列的光子晶体的缺陷区,或者是环形排列的三角状空气孔包围的区域,或者是环形排列的扇环状空气孔包围的区域。
6、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的空气孔区,既是高损耗区,同时也是包层区。
7、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的氧化孔径比出光孔径大。
8、根据权利要求1所述的抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法,其特征在于,所述氧化限制型的垂直腔面发射激光器的工作波长,覆盖深紫外到远红外波段。
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