[发明专利]液晶显示器基板及其制造方法无效
申请号: | 200810119134.X | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN101661182A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 董敏;刘圣烈 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G03F7/00;H01L21/84 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 曲 鹏 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示器基板,包括基板和形成在所述基板上的结构图形,其特征在于,所述基板上形成有用于起偏振作用的细长条形阵列,所述细长条形阵列上形成有保护层。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器基板,其特征在于,所述细长条形阵列为数个平行的金属条,每个金属条嵌设在基板一侧的表面内,所述结构图形形成在所述保护层上,或所述结构图形形成在所述基板的另一侧表面上。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器基板,其特征在于,所述细长条形阵列为数个平行的金属条,每个金属条设置在基板一侧的表面上,所述结构图形形成在所述保护层上,或所述结构图形形成在所述基板的另一侧表面上。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器基板,其特征在于,所述结构图形为TFT结构图形或CF结构图形。
5.根据权利要求1~4中任一权利要求所述的液晶显示器基板,其特征在于,所述细长条形阵列的周期小于或等于300nm,金属条的宽度与周期之比为0.25~0.75,厚度为40nm~500nm。
6.根据权利要求1~4中任一权利要求所述的液晶显示器基板,其特征在于,所述保护层的厚度为40nm~60nm,材料为氮化硅或者氮氧化合物。
7.根据权利要求2或3所述的液晶显示器基板,其特征在于,所述细长条形阵列的材料为铝或银,所述金属条的横截面为矩形或梯形。
8.一种液晶显示器基板制造方法,其特征在于,包括:
步骤1、在基板上形成用于起偏振作用的细长条形阵列,在所述细长条形阵列上形成保护层;
步骤2、在完成步骤1的基板上制备结构图形。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器基板制造方法,其特征在于,所述步骤1具体为:
在基板上涂覆一层光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光和显影处理,在基板上形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域;
采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶去除区域的基板,在基板表面形成数个平行的凹槽;
剥离剩余的光刻胶;
在完成前述步骤的基板上沉积金属层,所述金属层的厚度大于所述凹槽的深度;
采用抛光工艺去除高于基板表面的金属层,形成细长条形阵列图形;
在形成有细长条形阵列图形的基板上沉积保护层。
10.根据权利要求8所述的液晶显示器基板制造方法,其特征在于,所述步骤1具体为:
在基板上沉积一金属层;
在金属层上涂覆一层光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光和显影处理,在金属层上形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域;
采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶去除区域的金属层,在基板表面形成数个平行的金属条;
剥离剩余的光刻胶,在基板上形成细长条形阵列图形;
在完成前述步骤的基板上涂覆一层保护层,所述保护层的厚度大于所述金属条的厚度;
采用抛光工艺去除保护层上的凸起,使保护层具有平坦的表面。
11.根据权利要求8~10中任一权利要求所述的液晶显示器基板制造方法,其特征在于,所述步骤2具体为:在所述保护层上制备结构图形,或在形成有细长条形阵列图形和保护层的基板表面的另一侧表面制备结构图形。
12.根据权利要求8~10中任一权利要求所述的液晶显示器基板制造方法,其特征在于,所述结构图形为TFT结构图形或CF结构图形。
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