[发明专利]液晶显示器、TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种具有触摸功能的液晶显示器，包括阵列基板，所述阵列基板包括 栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，所述栅线和数据线限定像素区域， 所述像素电极位于所述像素区域内，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据 线的交叉处，其特征在于，还包括与所述数据线平行并连接窄幅时序脉冲波 型发生装置的信号线，所述像素电极与信号线重叠形成第一感应电容，所述 第一感应电容用于感受所述像素电极的电压变化并使所述信号线产生电压变 化，所述像素电极与栅线重叠形成第二感应电容，所述第二感应电容感受所 述像素电极的电压变化并使所述栅线产生电压变化，所述栅线和信号线与触 摸处理装置连接，所述触摸处理装置用于检测所述信号线上和栅线上的电压 变化，并根据所述电压变化获得触摸点位置。

2.根据权利要求1所述的具有触摸功能的液晶显示器，其特征在于，所 述触摸处理装置包括获得发生触摸事件的触摸信号线的第一触摸判别模块、 获得发生触摸事件的触摸栅线的第二触摸判别模块和根据所述触摸信号线和 触摸栅线获得触摸点位置的中心处理模块，所述第一触摸判别模块与所述信 号线连接，所述第二触摸判别模块与所述栅线连接，所述中心处理模块与第 一触摸判别模块和第二触摸判别模块连接。

3.根据权利要求2所述的具有触摸功能的液晶显示器，其特征在于，所 述第一触摸判别模块包括数个第一信号放大器和数个第一比较器，每个第一 信号放大器与一个信号线连接，用于对信号线电压信号进行放大，所述第一 比较器与所述第一信号放大器连接，用于将放大的信号线电压信号与信号线 参考电压信号进行比较，获得发生触摸事件的触摸信号线。

4.根据权利要求2所述的具有触摸功能的液晶显示器，其特征在于，所 述第二触摸判别模块包括数个第二信号放大器和数个第二比较器，每个第二 信号放大器与一个栅线连接，用于对栅线电压信号进行放大，所述第二比较 器与所述第二信号放大器连接，用于将放大的栅线电压信号与栅线参考电压 信号进行比较，获得发生触摸事件的触摸栅线。

5.一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板，包括栅线、数据线、像素电 极和薄膜晶体管，所述栅线和数据线限定像素区域，所述像素电极位于所述 像素区域内，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，其特征在 于，还包括与所述数据线平行的信号线，所述像素电极与信号线重叠形成第 一感应电容，所述像素电极与栅线重叠形成第二感应电容。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板，其特征在 于，所述数据线位于所述像素区域的一侧，所述信号线位于所述像素区域的 另一侧。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板，其特征在 于，所述信号线与所述数据线设置在同一层，且与所述数据线在同一次构图 工艺中形成。

8.一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，包 括：

步骤1、在基板上形成包括栅线和数据线的图形，同时形成与数据线平 行的信号线图形；

步骤2、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极 位置形成钝化层过孔；

步骤3、在完成前述步骤的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成 包括像素电极的图形，使像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，且像素电 极与所述信号线重叠形成第一感应电容，像素电极与所述栅线重叠形成第二 感应电容。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制造方 法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成栅线和栅电极图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂 半导体层，通过构图工艺对半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上 形成有源层图形；

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源 漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和信号线 图形，所述信号线与数据线平行。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制造方 法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成栅线和栅电极图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂 半导体层和源漏金属层，采用灰色调或半色调掩模板，通过构图工艺形成数 据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和信号线图形，所述信号线与数据线 平行。