[发明专利]在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法

权利要求书

1.一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；

步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；

步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟；

步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；

步骤5：再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹于；

步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属；

步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干；

步骤8：将淀积完金属的基片退火，完成制作。

2.根据权利要求1所述的在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，其中涂胶、均胶的胶膜厚度大于1微米。

3.根据权利要求1所述的在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，其中对样品轰击的时间为30秒，功率为100W。

4.根据权利要求1所述的在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，其中真空度高于2×10^-6τ。

5.根据权利要求1所述的在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，其中淀积的金属是镍、锗和金三种金属，淀积顺序为：镍、锗、金、镍、和金，淀积速度不超过0.2nm/秒。

6.根据权利要求1或5所述的在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，其中淀积的金属纯度为99.99％以上，以保证形成良好的欧姆结。

7.根据权利要求1所述的在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆 接触的方法，其特征在于，其中退火的温度为450℃，退火是在氢气和氮气的气氛中进行。

8.根据权利要求7所述的在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，其中氢气和氮气的比例为1：2。