[发明专利]非对称组合电极结构的电容成像传感器无效
| 申请号： | 200810119915.9 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101344547A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 彭黎辉;陆耿;江鹏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R29/24 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对称 组合 电极 结构 电容 成像 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种非对称组合电极结构的电容成像传感器，其特征在于，将多个连续的传感器电极dj分别按照不同个数电极dj组成11组组合电极；该11组组合电极连接为一个整体进行激励和测量，在进行测量时，由构成激励组合电极的组合电极施加激励电压，利用现场可编程门阵列FPGA进行通道切换，即每次的第一组合电极均为激励组合电极，其余10个组合电极均为测量组合电极；只是在第一组合电极上施加激励电压，分别测量这些测量组合电极与激励组合电极间的电容值，对构成测量组合电极的组合电极上的电荷值进行测量。
2.根据权利要求1所述非对称组合电极结构的电容成像传感器，其特征在于，所述构成测量组合电极与激励组合电极相邻的测量组合电极的电极数少，等效的测量电极宽度小；所述构成测量组合电极与激励组合电极相对的测量组合电极的电极数多，等效的测量电极宽度大。
3.根据权利要求1所述非对称组合电极结构的电容成像传感器，其特征在于，所述电极转过一个电极后，构成与之前相同数目和宽度的新的组合电极进行激励和测量，以此类推，直到所有的由连续电极构成的激励组合电极均被激励过；利用现场可编程门阵列FPGA实现上述激励信号的控制，电极状态的调整，进行通道切换，以完成非对称组合电极一个周期的测量。
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