[发明专利]真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法

权利要求书

1.一种真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，采用可蒸镀各种高低熔 点的金属和氧化物材料的真空镀膜机，在10^-4-10^-3帕的低气压环境下，对 其原子比为99.9％纯度的Fe：99.9％纯度的Si：99.9％纯度的B等于77.5∶ 7.5∶15的巨磁阻抗薄膜材料的蒸发源进行加热，使其蒸发成蒸气原子，淀 积到横向两侧附加了磁铁，在镀膜的整个过程始终处于0.01T-0.03T稳 定磁场当中的待镀玻璃基片表面上形成FeSiB合金薄膜，其特征在于该待 镀玻璃基片是经过如下6个步骤清洗的：

(1)将基片用稀土抛光粉打磨；

(2)将基片放置于容器中加入配比为：氨水∶双氧水∶去离子水为1- 1.2∶2～3∶5-6的清洗液，加热煮沸10-20分钟，然后用去离子水冲洗 干净；

(3)再置于容器中加入配比为：盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶ 2～3∶8-10的清洗液，同样煮沸10--12分钟后用去离子水冲洗干净；

(4)将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声波抛动清 洗3～10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗3～5分钟、开启 超声波，水温控制在50℃～75℃，对基片抛动清洗3～8分钟，关闭超声波 后再采用去离子水清洗介质对基片抛动清洗3～5分钟；

(5)放入氮气炉中烘干；

(6)蒸镀前在真空舱内，用离子枪轰击基片的表面5～10分钟。

2.如权利要求1所述的真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，其特征 在于：步骤中(1)中的稀土抛光粉是氧化铈抛光粉。

3.如权利要求2所述的真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，其特征 在于：步骤(2)中的清洗液配比为氨水∶双氧水∶去离子水为1∶2～2.5∶ 5～6。

4.如权利要求3所述的真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，其特征 在于：步骤(3)中的清洗液配比为盐酸∶双氧水∶去离子水为1-1.2∶2～ 2.5∶8～10。

5.如权利要求4所述的真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，其特征 在于：步骤(4)中将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声 波抛动清洗3～10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗3～5分 钟、开启超声波，水温控制在55℃～65℃，对基片抛动清洗3～8分钟，关 闭超声波后再对基片抛动清洗3～5分钟，清洗介质采用去离子水。

6.如权利要求5所述的真空蒸镀法制备巨磁阻抗薄膜的方法，其特征 在于：步骤中(5)中放入氮气炉中烘干的时间为10-20分钟。