[发明专利]用轮廓采样的多边形边动态切分的光学临近效应校正方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路计算机辅助设计领域，尤其是涉及一种用轮廓采样的多边形边动态切分的光学临近效应校正方法。

背景技术

当集成电路的最小特征尺寸和间距减小到光刻所用光源的波长以下时，由于光的衍射和光刻胶显影蚀刻等因素带来的不可避免的影响，掩模(Mask)图形和在硅圆片上印刷出来的图形之间将不再一致，集成电路(IC)版图图形转移的失真将显著增大，严重影响到集成电路的生产成品率，这种现象被称为“光学邻近效应(OPE，Optical Proximity Effects)”。通常，硅片上实际印刷出来的图形产生的畸变现象包括：断线和桥连、拐角圆滑、线端缩进等。这些畸变可引起实际曝光图样相对原版图设计图样产生多达60％的偏差，这大大超出工业光刻10％的偏差容许极限，目前世界范围内最先进的光刻技术都属于这一类“亚波长光刻”。为了解决超深亚微米时代集成电路设计制造中的种种困难，使光刻的结果最好的符合版图设计的目标，分辨率增强技术(RET，Resolution Enhancement Technology)应运而生，这种技术主要采用“光学邻近效应校正(光学邻近效应校正，OpticalProximity Correction)”，“移相掩模(PSM，Phase Shift Mask)”和“离轴照明(OAI，OffAxis Illumination)”等方法，以减小光学邻近效应对集成电路生产成品率的影响，并使现有的集成电路生产设备在相同的生产条件下能制造出具有更小特征尺寸的芯片。通常所说的基于模型的光学邻近效应校正是通过改变掩模图形来对光刻结果进行校正，它的基本做法是将版图中多边形的边切分成小的线段，每个小线段上选取一个光强评估点，以该点的光强代表整个小线段的光强，然后根据由光刻设备参数建立的仿真模型计算出小线段在法向方向的校正距离，使得与小线段对应的光强评估点处的光强达到成像时的光强阈值，从而完成对掩模图形系统性的预校正，并使得由于光的衍射和光刻胶曝光显影蚀刻带来的非线性失真程度减小。随着集成电路特征尺寸的不断减小，这种精度较高的基于模型的光学邻近效应校正在集成电路制造领域中应用的越来越普遍。

尽管光学邻近效应校正及其他一些分辨率增强技术的成功应用使得目前集成电路的制造能力顺利的过渡到深亚微米时代，事情也并不像想象中的那样一帆风顺。在光学邻近效应校正的实际应用中，随着版图数据量的增大和复杂程度的增加，暴露出一些亟待解决的问题。(1)、随着版图上的图形越来越复杂，多边形边的切分规则变得越来越繁琐，如果版图上的图形切分不当，则会加剧光学邻近效应校正的纹波现象，从而造成断线和桥连、拐角圆滑、线端缩进等各种制造缺陷，极大的影响了光学临近效应校正的质量；(2)、调试多边形边的切分规则所花的时间越来越多，占到了总时间的30％以上，产品从设计出来到投放市场的时间也随之增加，产品竞争力减弱；(3)、如果多边形的边切分结果有太多的线段，则会进一步延长光学邻近效应校正的运算时间和增加掩膜的存储空间和复杂度。随着集成电路制造过程的日趋复杂，这些问题对成品率和制造成本的影响越来越大，在光学邻近效应校正过程中对多边形的边采用动态切分的处理方式也就日益显现出其重要性，这种方法又被称之为基于轮廓采样的多边形边动态切分算法的光学临近效应校正技术，它可以有效的抑制纹波现象，提高光学临近效应校正的质量，减少运算时间，减小数据存储量。

一般来说为了有效的抑制纹波现象，就必须切分出符合纹波“节奏”的小线段，即尽量使得纹波的波峰波谷在同一个小线段内，并且光强采样点尽量靠近波峰或者波谷，只有这样才能很好的反映出纹波的结构并对它进行校正。同时，由于纹波会随着光学临近效应校正的校正循环而增加、减少或者移动，因此必须对纹波进行采样监控，并在每次校正循环后调整由多边形的边切分出的小线段，以达到有效抑制纹波的目的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于轮廓采样的多边形边动态切分算法的光学临近效应校正方法，以便能够抑制在亚波长光刻条件下硅片上由纹波造成的断线和桥连、拐角圆滑、线端缩进等各种制造缺陷的出现，提高集成电路产品的生产成品率和缩短生产周期。

为达了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

1.一种用轮廓采样的多边形边动态切分的光学临近效应校正方法，包括参数初始化，预校正及初始频率采样，插值计算光强并切分出小线段，并在光学临近效应校正循环中利用动态调整算法对切分结果进行调整，从而取得光学临近效应校正的结果，其步骤如下：

1)参数初始化：

设定光学邻近效应校正的仿真模型，