[发明专利]硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 200810121646.X | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101383288A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;毛建军;胡煜涛;胡梦 | 申请（专利权）人： | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310053浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三重 扩散 衬底 制造 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在硅单晶片整个面上预扩散N+半导体杂质；
2)在1260～1300℃温度下，进行100～250小时硅内预扩散N+杂质的推结；
3)研磨去除一表面的N+扩散层并抛光N-面为镜面；
4)在N-/N+硅基片上硅基片上制成金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法，其特征在于所述的步骤1)中杂质预扩散的时间为2～4小时，温度为1100～1250℃。
3.根据权利要求1所述的一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法，其特征在于所述的步骤2)中温度为1270～1290℃，扩散时间为100～250小时。
4.根据权利要求1所述的一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法，其特征在于所述的步骤4)中，N+层的厚度为150微米-220微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
