[发明专利]柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法

权利要求书

1.柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，包括以下步骤：

1)分别配置浓度为0.01～0.1mol/L的硝酸锌水溶液和浓度为0.01～0.1mol/L的六次甲基四胺水溶液；

2)将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ZnO陶瓷为靶材，靶材与衬底之间的距离保持为4～6cm，生长室真空度至少抽至10^-3Pa，生长室通入O₂气体，控制压强为0.01～2Pa，室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ZnO籽晶层；

3)将硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液按体积比1：1混合，再将上述沉积有ZnO籽晶层的柔性衬底浸没于混合溶液中，在70～100℃下反应1～12h后取出，用去离子水漂洗，烘干，即可。

2.根据权利要求1所述的柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，其特征是所说的柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚苯并咪唑，聚苯并恶唑、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚对萘二甲酸乙二醇酯。

3.根据权利要求1所述的柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，其特征是脉冲激光沉积的激光功率为150～300mJ，激光重复频率3Hz。