[发明专利]一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法无效
| 申请号： | 200810122243.7 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101423942A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋冬;方为仁 | 申请（专利权）人： | 蒋冬;方为仁 |
| 主分类号： | C23F1/40 | 分类号： | C23F1/40 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 张骁敏 |
| 地址： | 324300*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 单晶硅 腐蚀 溶液 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备单晶硅片绒面的碱腐蚀溶液，该溶液为碱溶液、异丙醇和Na2SiO3的混合液，其特征是：还含有重量百分比为0.02‰～0.1‰的Pb(NO3)2或Pb，所 述碱溶液的重量百分比为1％～3.5％，异丙醇的重量百分比为5％～7％，Na2SiO3的重量百分比为0.2％～2％，所述的碱溶液为NaOH或KOH溶液。
2.一种使用权利要求1所述碱腐蚀溶液的制备单晶硅片绒面的方法，其特 征是：将单晶硅片浸泡在该碱腐蚀溶液中进行腐蚀反应，反应时间为20～30分 钟，碱腐蚀溶液的温度为75～85℃。
3.根据权利要求2所述的制备单晶硅片绒面的方法，其特征是：所述的单 晶硅片经过碱腐蚀溶液腐蚀后，表面形成大小为0.5～1.5微米的绒面。
4.根据权利要求2所述的制备单晶硅片绒面的方法，其特征是：被腐蚀的 单晶硅片厚度为5～20微米。
5.根据权利要求2所述的制备单晶硅片绒面的方法，其特征是：该单晶硅 片绒面是在对损伤层的清洗过程中完成的。
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