[发明专利]耗尽型MOS管稳定电压源电路

权利要求书

1、一种耗尽型MOS管稳定电压源电路，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管，以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。

2、根据权利要求1所述的耗尽型MOS管稳定电压源电路，其特征是：

所述的第一正温度系数电压产生电路由两个耗尽型NMOS管和两个电阻连接构成，其中NMOS管M1的栅极与源极以及NMOS管M2的漏极相连，NMOS管M1的漏极与供电电源VDD相连，NMOS管M2的源极与公共地相连，电阻R1的两端分别与NMOS管M1和M2的栅极相接，电阻R2的一端接于NMOS管M2的栅极，另一端与公共地相接；

所述的第二正温度系数电压产生电路由两个耗尽型PMOS管连接构成，其中耗尽型PMOS管M3的源极与漏极相连于供电电源VDD，耗尽型PMOS管M4的源极与PMOS管M3的漏极相连，PMOS管M4的漏极与公共地相连；

所述的稳定电压源产生电路含耗尽型PMOS管M4，来自于第二负温度系数电压产生电路中耗尽型NMOS管M4，其栅极与第一正温度系数电压产生电路中NMOS管M1的源极相连，其源极是稳定电压源输出端。