[发明专利]用于在比特图形化介质中跟踪和定时的备选传感器有效

专利信息
申请号: 200810125082.7 申请日: 2008-06-26
公开(公告)号: CN101335006A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: E·C·盖吉;V·S·吉拉卡;彭初兵;M·E·瑞 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/012 分类号: G11B5/012;G11B5/02;G11B5/09
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 刘佳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 比特 图形 介质 跟踪 定时 备选 传感器
【权利要求书】:

1.一种数据存储装置,包括:

比特图形化磁存储介质;

写入换能器,它位于比特图形化磁存储介质附近;

写入驱动器,它耦合到写入换能器以便将写入脉冲传递给写入换能器;

光传感器,用于产生比特图形信号;以及

定时恢复电路,用于响应于比特图形信号产生同步信号,其中响应于同步信 号来调节写入脉冲的定时。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述光传感器包括:

近场换能器,它包括金属插针以及将光引导至金属插针上的透镜。

3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,插针的末端的横截面面积小于比 特图形化介质中的岛的表面的横截面面积。

4.如权利要求1所述的装置,还包括:

光源,用于将光引导至比特图形化介质的表面上;以及

象限光检测器,用于检测从比特图形化介质的表面反射的光。

5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,光传感器检测从比特图形化磁存 储介质上的一个比特岛反射的光。

6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,光传感器检测从比特图形化磁存 储介质上的多个比特岛反射的光。

7.一种为比特图形化磁存储介质调节写入脉冲定时的方法,包括:

使用光传感器来产生用于表示比特图形化磁存储介质中的比特岛的位置的比 特图形信号;以及

使用比特图形信号来控制写入脉冲的定时,这些写入脉冲被加到写入换能器 以控制比特岛的磁化方向。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述光传感器包括:

近场换能器,它包括金属插针以及将光引导至金属插针上的透镜。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,插针的末端的横截面面积小于比 特图形化介质中的岛的表面的横截面面积。

10.如权利要求7所述的方法,其特征在于,使用光传感器产生用于表示比特 图形化磁存储介质中的比特岛的位置的比特图形信号的步骤包括:

将光引导至比特图形化介质的表面上;以及

使用象限光检测器以便检测从比特图形化介质的表面反射的光。

11.如权利要求7所述的方法,其特征在于,光传感器检测从比特图形化磁存 储介质上的一个比特岛反射的光。

12.如权利要求7所述的方法,其特征在于,光传感器检测从比特图形化磁存 储介质上的多个比特岛反射的光。

13.一种为比特图形化数据存储介质调节写入脉冲定时的方法,包括:

将光斑引导至比特图形化数据存储介质的表面上;

响应于从比特图形化数据存储介质上的岛反射的光,产生误差信号,其中误 差信号表示光斑相对于该岛的位置;以及

使用所述误差信号来控制写入脉冲的定时,这些写入脉冲被加到写入换能器 以控制所述岛的磁化方向。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,光检测器产生第一、第二、第 三和第四检测器信号,并且误差信号是第一和第四检测器信号之和以及第二和第三 检测器信号之和之间的差。

15.如权利要求13所述的方法,其特征在于,误差信号包括:

边缘检测信号。

16.如权利要求13所述的方法,其特征在于,误差信号包括:

推拉式信号。

17.如权利要求13所述的方法,其特征在于,误差信号包括:

微分相位检测信号。

18.如权利要求13所述的方法,其特征在于,光检测器产生第一、第二、第 三和第四检测器信号,并且误差信号包括第一、第二、第三和第四检测器信号之和。

19.如权利要求13所述的方法,其特征在于,光斑的直径小于比特图形化数 据存储介质上的岛的宽度。

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