[发明专利]电子器件以及制造电子器件的方法有效
申请号: | 200810125262.5 | 申请日: | 2008-06-23 |
公开(公告)号: | CN101330026A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 山野孝治 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾红霞;彭会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 以及 制造 方法 | ||
1.一种制造电子器件的方法,在所述电子器件中,在导电图案上形成有用作外部连接端子的多个第一凸点,所述方法包括:
(a)在电极焊盘上形成具有突出部分的第二凸点,所述电极焊盘形成在基板上;
(b)在所述基板上形成绝缘层;
(c)使所述突出部分的一部分从所述绝缘层的上表面露出;
(d)在所述绝缘层上的凸点提供区域内形成扁平的应力吸收层,所述第一凸点设置在所述凸点提供区域内;
(e)在所述绝缘层、应力吸收层和突出部分的露出部分上形成第一导电层;
(f)使用所述第一导电层作为馈电层,通过电解电镀法形成第二导电层;
(g)通过使所述第二导电层图案化来形成导电图案;以及
(h)在形成于所述应力吸收层上的所述导电图案上形成所述第一凸点。
2.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法,其中,
所述基板是半导体基板。
3.根据权利要求2所述的制造电子器件的方法,其中,
所述应力吸收层由具有弹性的树脂形成。
4.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中,
所述应力吸收层由与所述绝缘层相同的材料形成。
5.根据权利要求4所述的制造电子器件的方法,其中,
在步骤(e)中,所述第一导电层是通过气相沉积方法形成的。
6.根据权利要求5所述的制造电子器件的方法,其中,
在步骤(a)中,所述第二凸点是由结合线形成的。
7.一种电子器件,包括:
第一凸点,其用作外部连接端子;
基板,其上面形成有电极焊盘;
第二凸点,其形成在所述电极焊盘上;
绝缘层,其形成在所述基板上;
应力吸收层,其设置在所述绝缘层上的凸点提供区域内,所述第一凸点设置在所述凸点提供区域内,并且布置在所述应力吸收层之上;以及
导电图案,其形成在所述绝缘层和所述应力吸收层上,并且与所述第一凸点和所述第二凸点连接。
8.根据权利要求7所述的电子器件,其中,
所述基板是半导体芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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