[发明专利]电子器件以及制造电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 200810125262.5 申请日: 2008-06-23
公开(公告)号: CN101330026A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 山野孝治 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 顾红霞;彭会
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造电子器件的方法,在所述电子器件中,在导电图案上形成有用作外部连接端子的多个第一凸点,所述方法包括:

(a)在电极焊盘上形成具有突出部分的第二凸点,所述电极焊盘形成在基板上;

(b)在所述基板上形成绝缘层;

(c)使所述突出部分的一部分从所述绝缘层的上表面露出;

(d)在所述绝缘层上的凸点提供区域内形成扁平的应力吸收层,所述第一凸点设置在所述凸点提供区域内;

(e)在所述绝缘层、应力吸收层和突出部分的露出部分上形成第一导电层;

(f)使用所述第一导电层作为馈电层,通过电解电镀法形成第二导电层;

(g)通过使所述第二导电层图案化来形成导电图案;以及

(h)在形成于所述应力吸收层上的所述导电图案上形成所述第一凸点。

2.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法,其中,

所述基板是半导体基板。

3.根据权利要求2所述的制造电子器件的方法,其中,

所述应力吸收层由具有弹性的树脂形成。

4.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中,

所述应力吸收层由与所述绝缘层相同的材料形成。

5.根据权利要求4所述的制造电子器件的方法,其中,

在步骤(e)中,所述第一导电层是通过气相沉积方法形成的。

6.根据权利要求5所述的制造电子器件的方法,其中,

在步骤(a)中,所述第二凸点是由结合线形成的。

7.一种电子器件,包括:

第一凸点,其用作外部连接端子;

基板,其上面形成有电极焊盘;

第二凸点,其形成在所述电极焊盘上;

绝缘层,其形成在所述基板上;

应力吸收层,其设置在所述绝缘层上的凸点提供区域内,所述第一凸点设置在所述凸点提供区域内,并且布置在所述应力吸收层之上;以及

导电图案,其形成在所述绝缘层和所述应力吸收层上,并且与所述第一凸点和所述第二凸点连接。

8.根据权利要求7所述的电子器件,其中,

所述基板是半导体芯片。

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