[发明专利]存储元件阵列有效

专利信息
申请号: 200810125333.1 申请日: 2008-06-20
公开(公告)号: CN101330093A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 古田成生;增田雄一郎;高桥刚;小野雅敏 申请(专利权)人: 株式会社船井电机新应用技术研究所;船井电机株式会社
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;G11C11/21;G11C16/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 存储 元件 阵列
【权利要求书】:

1.一种存储元件阵列,包括排列成阵列的多个存储元件,其中

所述存储元件是开关元件,每个开关元件包括纳米量级的间隙,其中通 过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象,并且

所述存储元件阵列设置有隧道元件,每个所述隧道元件串联连接每个所 述开关元件,在施加所述预定电压时,每个所述隧道元件防止产生流向另一 开关元件的潜通路电流。

2.如权利要求1所述的存储元件阵列,其中,所述开关元件与所述隧 道元件分别通过导电保护膜相互连接。

3.一种存储元件阵列,包括排列成阵列的多个存储元件,其中

所述存储元件是开关元件,每个开关元件包括纳米量级的间隙,其中通 过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象;

所述存储元件阵列设置有隧道元件,每个所述隧道元件串联连接每个所 述开关元件,在施加所述预定电压时,每个所述隧道元件防止产生流向另一 开关元件的潜通路电流,并且

所述开关元件和所述隧道元件排列为在垂直方向上对准,并且分别通过 导电保护膜相互连接。

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