[发明专利]存储元件阵列有效
申请号: | 200810125333.1 | 申请日: | 2008-06-20 |
公开(公告)号: | CN101330093A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 古田成生;增田雄一郎;高桥刚;小野雅敏 | 申请(专利权)人: | 株式会社船井电机新应用技术研究所;船井电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;G11C11/21;G11C16/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 元件 阵列 | ||
1.一种存储元件阵列,包括排列成阵列的多个存储元件,其中
所述存储元件是开关元件,每个开关元件包括纳米量级的间隙,其中通 过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象,并且
所述存储元件阵列设置有隧道元件,每个所述隧道元件串联连接每个所 述开关元件,在施加所述预定电压时,每个所述隧道元件防止产生流向另一 开关元件的潜通路电流。
2.如权利要求1所述的存储元件阵列,其中,所述开关元件与所述隧 道元件分别通过导电保护膜相互连接。
3.一种存储元件阵列,包括排列成阵列的多个存储元件,其中
所述存储元件是开关元件,每个开关元件包括纳米量级的间隙,其中通 过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象;
所述存储元件阵列设置有隧道元件,每个所述隧道元件串联连接每个所 述开关元件,在施加所述预定电压时,每个所述隧道元件防止产生流向另一 开关元件的潜通路电流,并且
所述开关元件和所述隧道元件排列为在垂直方向上对准,并且分别通过 导电保护膜相互连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的