[发明专利]电子元件载板的制作方法无效

专利信息
申请号: 200810125463.5 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101604634A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 吴建男;杨耿忠 申请(专利权)人: 旭德科技股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H05K3/46
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电子元件 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电子元件载板的制作方法。

背景技术

随着半导体科技的发展,集成电路芯片(IC chip)的接点密度越来越高,使得芯片封装用的载板(carrier)也必须对应朝向高接点密度来发展。目前常见的芯片封装用的载板包括导线架(leadframe)、硬性线路载板(rigid circuitcarrier)及软性线路载板(flexible circuit carrier)。

就软性线路载板而言,目前已发展出的覆晶薄膜(Chip on Film,COF)封装是一种将芯片封装于软性线路载板上的封装。由于覆晶薄膜封装具有体积小、厚度薄、重量轻及可挠曲(flexibility)等特点,所以覆晶薄膜封装很适合应用于封装小型芯片或其他小型电子元件,例如喷墨芯片、显像驱动芯片及射频芯片等。

发明内容

本发明提供一种方法,用以制作电子元件载板。

本发明的一实施例提供一种电子元件载板的制作方法。形成第一图案化金属层在基材的第一面。形成第一图案化防焊层在基材的第一面及第一图案化金属层上,其中第一图案化防焊层暴露出部分第一图案化金属层。形成至少一贯孔穿过基材及第一图案化金属层。形成第二金属层在基材的相对于第一面的第二面上。形成第二图案化防焊层在第二金属层上,其中第二图案化防焊层暴露出部分第二金属层。以第二图案化防焊层为掩模,蚀刻部分第二金属层,以形成第二图案化金属层。

在本发明的一实施例中,基材可为软性介电基材。此外,基材的材料可包括聚酰亚胺。

在本发明的一实施例中,形成第一图案化金属层的步骤可包括将第一金属层贴附在基材的第一面上及图案化第一金属层。此外,图案化第一金属层的步骤可包括光刻及蚀刻。

在本发明的一实施例中,形成第一图案化防焊层的步骤可包括形成防焊层在基材的第一面及第一图案化金属层上,接着曝光、显影及固化防焊层,以形成第一图案化防焊层。

在本发明的一实施例中,第一图案化防焊层的材料包括热固型防焊材料。

在本发明的一实施例中,形成贯孔的步骤可包括冲压或蚀刻。

在本发明的一实施例中,贯孔更贯穿第一图案化防焊层。

在本发明的一实施例中,此制作方法更可包括在形成第一图案化防焊层之后,形成第一抗氧化层在第一图案化防焊层所暴露出的部分第一图案化金属层上。此外,第一抗氧化层可为镍金叠层。

在本发明的一实施例中,形成第二金属层的步骤可包括将金属薄片贴附在基材的第二面上。

在本发明的一实施例中,形成第二图案化防焊层的步骤可包括形成防焊层在第二金属层上,接着曝光、显影及固化防焊层,以形成第二图案化防焊层。

在本发明的一实施例中,第二图案化防焊层的材料包括热固型防焊材料。

在本发明的一实施例中,此制作方法更可包括形成第一保护层在第一图案化金属层上。在形成第二图案化防焊层之后,形成第二保护层在第二金属层上,其中第二图案化防焊层及第二保护层暴露出部分第二金属层。以第二图案化防焊层及第二保护层为掩模,蚀刻部分第二金属层,以形成第二图案化金属层。移除第一保护层,其中第一图案化防焊层暴露出部分第一图案化金属层。移除第二保护层,其中第二图案化防焊层暴露出部分第二图案化金属层。

在本发明的一实施例中,此制作方法更可包括在移除第二保护层之后,形成第二抗氧化层在第二图案化防焊层所暴露出的部分第二图案化金属层上。

在本发明的一实施例中,第二抗氧化层可为镍金叠层。

基于上述,本发明的上述实施例披露一种电子元件载板的制作方法,用以制作出具有贯孔的线路载板。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1至图11以剖面绘示本发明的一实施例的一种电子元件载板的制作方法。

附图标记说明

100:基材                       100a:第一面

100b:第二面                    100h:传动孔

102:第一图案化金属层           104:第一图案化防焊层

106:第一抗氧化层               108:贯孔

110:第二金属层                 110’:第二图案化金属层

112:第二图案化防焊层           114:第一保护层

116:第二保护层                 118:第二抗氧化层

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