[发明专利]具有粘接到其上的涂覆膜的部分的光刻设备有效

专利信息
申请号: 200810125483.2 申请日: 2008-06-18
公开(公告)号: CN101329517A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 保尔阿斯·马丁内斯·列布瑞格蒂斯;门诺·费恩;埃瑞克·罗艾尔洛夫·鲁普斯卓;罗纳德·范德汉姆;威廉姆斯·弗朗西斯克·约翰内斯·西蒙斯;丹尼尔·约瑟夫·玛丽亚·迪瑞克斯;弗朗西斯克斯·约翰内斯·约瑟芬·詹森;哥特-简·杰拉尔达斯·约翰内斯·托马斯·布兰德斯;考恩·斯蒂芬斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 具有 接到 涂覆膜 部分 光刻 设备
【权利要求书】:

1.一种光刻设备,所述光刻设备包括:

照射系统,所述照射系统配置用于调节辐射束;

支撑件,所述支撑件配置用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束,以形成图案化的辐射束;

衬底支撑件,所述衬底支撑件配置用于保持衬底;

投影系统,所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;以及

可去除的粘合膜,所述粘合膜设置在所述光刻设备的至少一个部件的至少一部分上并携带有涂层,所述涂层能够防紫外辐射或者是疏水涂层。

2.根据权利要求1所述的光刻设备,还包括液体供给系统,所述液体供给系统具有液体限制结构,所述液体限制结构沿着在投影系统和衬底支撑件之间的空隙的边界的至少一部分延伸,携带有所述涂层的所述膜位于所述液体限制结构的至少一部分上。

3.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述携带有所述涂层的所述膜位于设备的、在设备的操作过程中被辐射曝光的至少一部分上。

4.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述携带有所述涂层的所述膜位于(i)照射系统、或(ii)图案形成装置支撑件、或(iii)衬底支撑件、或(iv)投影系统、或(v)选自从(i)到(iv)的任意组合中的至少一部分上。

5.根据权利要求4所述的光刻设备,其中所述携带有所述涂层的所述膜位于所述衬底支撑件的顶表面的至少一部分上。

6.根据权利要求5所述的光刻设备,其中所述携带有所述涂层的所述膜大致覆盖所述衬底支撑件的整个顶表面。

7.根据权利要求5所述的光刻设备,其中所述携带有所述涂层的所述膜覆盖所述衬底支撑件的顶表面,在所述衬底支撑件中为位于所述顶表面中的至少一个器件而设置的至少一个开口除外。

8.根据权利要求7所述的光刻设备,其中位于所述顶表面中的所述至少一个器件包括(i)测量装置、或(ii)密封装置、或(iii)致动器、或(iv)选自从(i)到(iii)的任意组合。

9.根据权利要求7所述的光刻设备,其中所述携带有所述涂层的所述膜包括至少一个开口,所述至少一个开口对应于衬底支撑件中的至少一个开口。

10.根据权利要求1所述的光刻设备,包括堆叠设置的多个粘合膜,每个粘合膜携带有所述涂层。

11.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述膜包括金属箔片。

12.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述膜的最大厚度为11微米。

13.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述携带有所述涂层的所述膜与其所粘附到的设备的相应部分具有大致相同的热膨胀特性。

14.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述疏水涂层包括聚合六甲基二硅氧烷。

15.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述涂层具有600纳米的最大厚度。

16.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述涂层包括硅树脂。

17.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述涂层包括氧化钛。

18.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述涂层具有至少85度的水接触角。

19.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述粘合膜包括热熔胶。

20.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述粘合膜包括最大厚度为11微米的粘合层。

21.一种使用光刻设备制造器件的方法,所述方法包括步骤:

将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束;

采用光刻设备,将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上,在所述光刻设备的至少一个部件的至少一部分上的可去除的粘合膜携带有涂层,所述涂层能够防紫外辐射或者是疏水涂层;

对被投影的衬底进行显影;以及

由所述被显影的衬底制造器件。

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